Cтраница 5
Кристаллы с высокой плотностью экснтониых состояний перспективны для получения высокотемпературных сверхпроводников. Теоретические предпосылки свидетельствуют о принципиально иной возможности притяжения электронов - за счет экснтонного обмена. При таком механизме в принципе возможно получить сверхпроводимость даже при 300 К. Понятие экснтон при этом следует трактовать шире - подразумеваются любые поляризационные возбуждения в электронной подсистеме кристалла, в том числе различные колебательные моды объемного или поверхностного типа. Поскольку сверхпроводником должен быть металл, а экситоны могут распространяться только в диэлектриках, то экситонный сверхпроводник должен быть одновременно и металлом, и диэлектриком, представляя собой систему кристалл в кристалле. При этом металлическая подсистема такого сложного кристалла обеспечивает движение электронов, а диэлектрическая - представляет собой среду для распространения экситонов, связывающих электронные пары. [61]