Сверхрешетка

Cтраница 2

Туннельная структура - двойной барьер. [16]

Полупроводники со сверхрешетками в отсутствие внешнего электрического поля обладают интересными оптическими свойствами. Поскольку закон дисперсии электронов в пределах мини-зоны, если она узкая, сильно отличается от квадратичного, здесь возможна существенная нелинейность оптических свойств. [17]

Представление о сверхрешетках совпадения позволяет решать задачи, важные для полупроводникового материаловедения. Например, с помощью этого подхода удается однозначно объяснить экспериментально наблюдаемые в элементарных полупроводниках двойниковые границы. После того как ориентация н особенности границы и решетки совпадения установлены, может быть определен характер искажения и обрыва связей на границе. Последнее чрезвычайно важно для определения влияния границы на полупроводниковые свойства материала. [18]

Изменение сопротивления AR / R при комнатной температуре для мультислоев Со-Си - Со и Fe-Cr-Fe в приложенном магнитном поле. [19]

Таким образом, сверхрешетка, состоящая из трехслойных компонен - тов Ьа1 ж8гжМпОз - ЗгТЮз - Ьа1 ж8гжМпОз и насчитывающая определенное количество слоев, как показано в [148], обладает значительным сопротивлением, управляемым магнитным полем до 200 эрстед. [20]

Такие структуры называют сверхрешетками. [21]

Плазменные колебания в сверхрешетках, слоистых соединениях и интеркалированном графите могут сильно модифицироваться за счет межслоевого электромагнитного взаимодействия. [22]

Схематический ход края зоны проводимости в гетеропереходах GaAs - Ga06Al04As с резкой границей ( / и с переходным слоем толщиной 100 А ( 2 и 200 А ( 5. Горизонтальные линии показывают положение низшего квантового уровня во всех трех случаях. [23]

В работах [404, 405, 409, 411] рассмотрены сверхрешетки, не содержащие гетеропереходов. [24]

Если квантовая яма или сверхрешетка созданы на основе материалов, столь различных, что в них носители с одной и той же энергией принадлежат различным экстремумам зон, то упомянутый выше простой расчет огибающей волновой функции уже невозможен. Здесь волновая функция должна являться суперпозицией нескольких блоховских функций и условия сшивания на гетерогранице следует рассматривать на микроскопическом уровне. [25]

Взаиморасположение атомов в плоскостях Ш. принадлежащих двум г. ц. к. решеткам, повернутым одна относительно другой вокруг 111 на 38 2, и атомная структура границы между кристаллами, развернутыми друг относительно друга на 38. [26]

Эти общие позиции образуют трехмерную сверхрешетку. [27]

Зависимости ZT различных сверхрешеток от характерного размера. [28]

Такой пакет образует так называемую сверхрешетку квантовых ям. Барьерные слои должны предотвращать туннелирование электронов из одной квантовой ямы в другую, что размыло бы квантовый эффект. Материалом пленок служил РЬТе. [29]

Электроны и дырки в сверхрешетках. В принципе, энергии электронов и дырок в сверхрешетках могут быть расчитаны таким же способом, как и для КЯ, при условии использования соответствующих граничных условий. Периодичность сверхрешетки ( с периодом ef, равным сумме толщин ямы и барьера) накладывает на волновые функции электронов и фононов те же самые граничные условия, что и периодический потенциал одномерного кристалла. В результате можно выразить огибающую волновую функцию ф электрона в зоне проводимости в виде блоховских волн, распространяющихся вдоль направления роста СР. В простом случае kx ky 0 в СР GaAs / Al1 xGaxAs ( в которой при 0 15 х 0 30 можно приближенно считать массы электрона изотропными и т т) волновое уравнение для электрона в направлении z сводится к уравнению для одномерного периодического потенциала прямоугольной ямы, лучше известному как модель Кронига-Пенни. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5