Сверхрешетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Жизнь похожа на собачью упряжку. Если вы не вожак, картина никогда не меняется. Законы Мерфи (еще...)

Сверхрешетка

Cтраница 4


Развитие работ в области гетеропереходов, квантовых ям и сверхрешеток идет быстрыми темпами, и многие результаты могут вскоре устареть. Интерес к рассматриваемой проблеме частично связан с возможностями приборных применений, а частично - с быстрым развитием молекулярио-лучевой эпитаксии и других методов выращивания структур.  [46]

CuAu, являющийся структурой с большим периодом решетки, представляет модификацию сверхрешетки, образуемой вблизи стехиомет-рпческого состава CuAu. Сплав на основе этого состава разупорядочен при температуре выше 410 С и имеет гране-центрированную кубическую структуру. Фукано [129] получил эпитаксиальные пленки Аи - 20 ат.  [47]

48 Схема установки для молекулярно-лучевой эпитаксии ( вид сверху. [48]

На рис. 4.14 показана типичная схема установки для выращивания гетероструктур ( сверхрешеток) на основе соединений AmBv методом молекулярно-лучевой ( или пучковой) эпитаксии. Испаряемые из эффузионных ячеек соединения и легирующие примеси программированно конденсируются на специально подготовленной и обогреваемой подложке. Вакуумный шлюз позволяет менять подложки, сохраняя сверхвысокий вакуум. Вращением подложки обеспечивается однородность состава и структуры напыляемых слоев, индивидуальная толщина которых может составлять от нескольких нанометров до долей микрона.  [49]

50 Энергетическая диаграмма сверхрешетки In, GaxAs - GaSb, As. Заштрихованные области отвечают запрещенным зонам в соответствующих слоях, Es - величина их перекрытия. Рассчитанные энергии мини-зон электронов (., тяжелых дырок ( ЯЯ и легких дырок ( LH показаны справа для параметров, соответствующих полупроводниковому состоянию сверхрешетки с шириной запрещенной зоны Е. [50]

Рассматриваемая система должна быть полуметаллической при большой толщине слоев, составляющих сверхрешетку, и полупроводниковой - при малой их толщине, когда квантовые эффекты снимают перекрытие зон.  [51]

Среди таких устройств лучшими характеристиками обладают бистабильные элементы, созданные на основе сверхрешеток а на основе стеклянных матриц, донированных полупроводниковыми микрокристаллами с размерами - 10 - 100 нм.  [52]

Несомненно, большое будущее имеют приборы и устройства на основе полупроводников со сверхрешетками и иных туннельных структур. Однако потребуется еще значительное время, прежде чем они получат промышленную реализацию. Для этого необходимо преодоление больших технологических трудностей, возникающих при изготовлении структур с размерами слоев всего в несколько тысячных микрометра.  [53]

54 Различные формы углеродных нанотрубок и элементы составляющих их решеток. [54]

Представляется реальным сшивание нескольких нанотрубок для создания из них различных трехмерных структур - сверхрешеток. Подобные графитовые сверхрешетки должны быть еще более устойчивы, чем фуллерены.  [55]

Тем самым открывается перспектива создания слоистых структур на основе различных модификаций углерода типа сверхрешеток в едином технологическом процессе. Этот метод получения карбина был разработан15 в МГУ на основе теоретических и экспериментальных исследований в области ионной стимуляции процессов на поверхности твердого тела.  [56]

Наиболее прямым методом изучения структуры энергетических уровней в гетеропереходах, квантовых ямах и сверхрешетках являются оптические измерения. Проведенные в работе [393] измерения коэффициента пропускания в системе GaAs - Ga.  [57]

Одно из важных отличий связано с полярным характером большинства материалов, используемых в сверхрешетках, что усиливает рассеяние на фононах. Формальные выражения для подвижности при фононном рассеянии иные, чем в трехмерных системах, но, согласно Прайсу ( Price P. J., неопубликованные результаты), численные значении подвижности и ее температурная зависимость для сиерхрешеток или гетеропереходов на основе GaAs с типичными параметрами сЛоев при Т - 100 К сравнимы с характеристиками массивного GaAs, если кон.  [58]

В зависимости от способа воздействия, приводящего к возникновению в кристалле модулирующего потенциала, сверхрешетки делят на статические и динамические. В статических модулирующий потенциал не может быть существенно изменен после изготовления. В таких сверхрешетках имеются большие возможности управления параметрами мини-зонного спектра в процессе эксплуатации приборов.  [59]

Может быть, найдется заинтересованный читатель, который попытается построить микротеорию указанных явлений в антиферромагнитных сверхрешетках, или даже поставить соответствующие эксперименты.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5