Cтраница 4
Развитие работ в области гетеропереходов, квантовых ям и сверхрешеток идет быстрыми темпами, и многие результаты могут вскоре устареть. Интерес к рассматриваемой проблеме частично связан с возможностями приборных применений, а частично - с быстрым развитием молекулярио-лучевой эпитаксии и других методов выращивания структур. [46]
CuAu, являющийся структурой с большим периодом решетки, представляет модификацию сверхрешетки, образуемой вблизи стехиомет-рпческого состава CuAu. Сплав на основе этого состава разупорядочен при температуре выше 410 С и имеет гране-центрированную кубическую структуру. Фукано [129] получил эпитаксиальные пленки Аи - 20 ат. [47]
![]() |
Схема установки для молекулярно-лучевой эпитаксии ( вид сверху. [48] |
На рис. 4.14 показана типичная схема установки для выращивания гетероструктур ( сверхрешеток) на основе соединений AmBv методом молекулярно-лучевой ( или пучковой) эпитаксии. Испаряемые из эффузионных ячеек соединения и легирующие примеси программированно конденсируются на специально подготовленной и обогреваемой подложке. Вакуумный шлюз позволяет менять подложки, сохраняя сверхвысокий вакуум. Вращением подложки обеспечивается однородность состава и структуры напыляемых слоев, индивидуальная толщина которых может составлять от нескольких нанометров до долей микрона. [49]
Рассматриваемая система должна быть полуметаллической при большой толщине слоев, составляющих сверхрешетку, и полупроводниковой - при малой их толщине, когда квантовые эффекты снимают перекрытие зон. [51]
Среди таких устройств лучшими характеристиками обладают бистабильные элементы, созданные на основе сверхрешеток а на основе стеклянных матриц, донированных полупроводниковыми микрокристаллами с размерами - 10 - 100 нм. [52]
Несомненно, большое будущее имеют приборы и устройства на основе полупроводников со сверхрешетками и иных туннельных структур. Однако потребуется еще значительное время, прежде чем они получат промышленную реализацию. Для этого необходимо преодоление больших технологических трудностей, возникающих при изготовлении структур с размерами слоев всего в несколько тысячных микрометра. [53]
![]() |
Различные формы углеродных нанотрубок и элементы составляющих их решеток. [54] |
Представляется реальным сшивание нескольких нанотрубок для создания из них различных трехмерных структур - сверхрешеток. Подобные графитовые сверхрешетки должны быть еще более устойчивы, чем фуллерены. [55]
Тем самым открывается перспектива создания слоистых структур на основе различных модификаций углерода типа сверхрешеток в едином технологическом процессе. Этот метод получения карбина был разработан15 в МГУ на основе теоретических и экспериментальных исследований в области ионной стимуляции процессов на поверхности твердого тела. [56]
Наиболее прямым методом изучения структуры энергетических уровней в гетеропереходах, квантовых ямах и сверхрешетках являются оптические измерения. Проведенные в работе [393] измерения коэффициента пропускания в системе GaAs - Ga. [57]
Одно из важных отличий связано с полярным характером большинства материалов, используемых в сверхрешетках, что усиливает рассеяние на фононах. Формальные выражения для подвижности при фононном рассеянии иные, чем в трехмерных системах, но, согласно Прайсу ( Price P. J., неопубликованные результаты), численные значении подвижности и ее температурная зависимость для сиерхрешеток или гетеропереходов на основе GaAs с типичными параметрами сЛоев при Т - 100 К сравнимы с характеристиками массивного GaAs, если кон. [58]
В зависимости от способа воздействия, приводящего к возникновению в кристалле модулирующего потенциала, сверхрешетки делят на статические и динамические. В статических модулирующий потенциал не может быть существенно изменен после изготовления. В таких сверхрешетках имеются большие возможности управления параметрами мини-зонного спектра в процессе эксплуатации приборов. [59]
Может быть, найдется заинтересованный читатель, который попытается построить микротеорию указанных явлений в антиферромагнитных сверхрешетках, или даже поставить соответствующие эксперименты. [60]