Отрицательное свечение

Cтраница 4

Так как существование самостоятельного разряда зависит только от эмиссии достаточного числа электронов с катода за счет его бомбардировки положительными ионами из области отрицательного свечения, то изменение расположения анода будет слабо влиять на электрические характеристики разряда. Так например, если анод начать все ближе и ближе придвигать к катоду, это заметно скажется на электрических характеристиках разряда лишь после того, как последовательно исчезнут положительный столб, фарадеево темное пространство и, наконец, большая часть отрицательного свечения. Когда же анод приблизится к границе катодного темного пространства, то заметно уменьшится число генерируемых ионов, и напряжение, необходимое для поддержания разряда в этом случае, резко возрастет, так как для компенсации уменьшения числа ионов должен увеличиться коэффициент вторичной электронной эмиссии. Такой разряд называется затрудненным тлеющим разрядом. [46]

Основные процессы, изменяющие заселенность энергетического уровня. 1 -возбуждение электронным ударом. 2 - ступенчатое возбуждение. S - каскадные переходы с верхних уровней. 4 - поглощение. 5 - удары второго рода с атомами, электронами и ионами. 6 - спонтанное и индуцированное излучение. Волнистыми линиями обозначены переходы, сопровождающиеся излучением и поглощением света, прямыми линиями - безызлучательные переходы. [47]

Схема тлеющего разряда иГрас - пределение в нем потенциала: 1 - катодное свечение; 2 - область катодного падения; з - отрицательное свечение тлеющего разряда; 4 - темное фарадеево пространство; 5 - положительный столб; 6 - область анодного падения. [48]

Последующее медленное увеличение напряженности поля приводит к тому, что вероятность рекомбинации уменьшается и появляется фарадеево темное пространство, свойства которого являются промежуточными между свойствами зоны отрицательного свечения и зоны положительного свечения ( положительный столб), расположенной за фарадеевым пространством. Так как напряженность поля возрастает в направлении к положительному столбу, то в первую очередь появляются спектральные линии, для которых максимумы вероятности возбуждения лежат в области малых энергий. [49]

В так называемом нормальном разряде разли чимы семь зон: 1) анодное свечение, 2) положительный столб, 3) фара-деево темное пространство, 4) отрицательное свечение, 5) катодное темное пространств) 6) катодное свечениеи. Свечение наиболее интенсивно в области положительного столба и отрицательного свечения, и эти участки поэтому наиболее часто используются для спектроскопических работ. [50]

Различие примерно в 10 % eVr между энергией ионов в максимуме кривой и максимально возможной энергией eVr следует отнести за счет падения напряжения на остальных областях разряда, вне отрицательного свечения. [51]

Зависимость стационарной концентрации окиси азота от силы тока. а - специальный реактор. б - широкий реактор. Давление ( в мм рт. ст.. / - 50. 2 - 100. 5 - 200. 4 - 300. 5 - 400. [52]

Коэффициент b имеет условную размерность [ % NOb / ампер и связан, по-видимому, с процессами в катодных частях разряда, а именно на границе темного катодного пространства и отрицательного свечения. [53]

Коэффициент 8, вычисленный по формуле ( 1), с использованием экспериментальных значений катодного падения потенциала UK и общей плотности разрядного тока / о, хорошо показывает роль и влияние отрицательного свечения на процессы, протекающие в катодном простран-стве падения потенциала. [54]

Коэффициент б, вычисленный по формуле ( 1), с использованием экспериментальных значений катодного падения потенциала Ик и общей плотности разрядного тока / о, хорошо показывает роль и влияние отрицательного свечения на процессы, протекающие в катодном пространстве падения потенциала. [55]

Зависимость стационарной концентрации окиси азота от силы тока. a - специальный реактор. б - широкий реактор. Давление ( в мм рт. ст.. / - 50. 2 - 100. 5 - 200. 4 - 300. 5 - 400. [56]

Коэффициент b имеет условную размерность [ % NO ] x / aMnep и связан, по-видимому, с процессами в катодных частях разряда, а именно на границе темного катодного пространства и отрицательного свечения. [57]

Отсутствие еще какого-либо максимума в области меньших энергии говорит о том, что значительного образования ионов в темном пространстве полого катода, путем ли первичной ионизации или путем перезарядки ионов, движущихся из отрицательного свечения, вероятно, не происходит. [58]

Отсутствие еще какого-либо максимума в области меньших энергий говорит о том, что значительного образования ионов в темном пространстве полого катода, путем ли первичной ионизации или путем перезарядки ионов, движущихся из отрицательного свечения, вероятно, не происходит. [59]

Так как для наиболее эффективного коллектирования распыленного материала подложку ( являющуюся часто одновременно и анодом) нужно располагать как можно ближе к катоду ( см. ниже), то в большинстве распылительных систем ее закрепляют на таком расстоянии от катода, чтобы только она не попадала в область отрицательного свечения. Поэтому многие электроны, приходящие на подложку, обладают значительной энергией. Влияние этих электронов на свойства получаемых пленок будет рассмотрено нами в одном из следующих разделов. Кроме того, если некоторое количество распыляемого материала будет покидать катод в виде отрицательных ионов, то эти ионы будут ускоряться в темном пространстве и падать на подложку с большими скоростями. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5