Свойство - диод
Cтраница 2
Последние характеризуют свойства диода по отношению к малым приращениям или к переменным составляющим, наложенным на большие постоянные токи и напряжения. [16]
На некоторые свойства диодов влияют геометрические соотношения. Особо важное значение имеет площадь перехода, так как все токи: прямой, обратный и ток при пробое, проходящие через переход, изменяются пропорционально площади этого перехода. К сожалению, емкость перехода, которая доля-сна быть минимальной при работе диода на высокой частоте, также изменяется пропорционально этой площади. [17]
Здесь используется свойство диода пропускать ток только в одном направлении. [18]
Как изменяются свойства диодов с увеличением температуры. [19]
При анализе свойств диодов в прямом включении важно отметить, что линейность температурной характеристики напряжения сохраняется в очень широком температурном диапазоне, от 20 К до 253 К. Поэтому диоды широко используются для измерения сверхнизких температур в криогенной технике. [20]
 |
Двухэлектрод-ная лампа ( диод. а - внешний вид. б - условное обозначение. [21] |
Для изучения свойств диода собирают схему, изображенную на рис. 3 а. Батарея накала Бя, соединительные провода, реостат га и катод образуют цепь накала. [22]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для СВЧ диапазона. [23] |
Для описания свойств СВЧ диодов на рабочих частотах употребляются следующие параметры. [24]
 |
Измерение импульсного сопротивления, макс, импульсного сопротивления и времени установления прямого сопротивления.| Измерение времени восстановления обратного сопротивления. [25] |
Импульсные Д.п.п. определяют свойства диода как переключателя, имеющего два состояния: открытое и закрытое. Открытое характеризуется импульсным прямым сопротивлением RK - отношением напряжения на открытом диоде к протекающему прямому току. [26]
Параметрами, характеризующими свойства диода, являются: статическое сопротивление RQ, крутизна характеристики S, сопротивление переменному току Ri и мощность, рассеиваемая на аноде Ра. На рис. 3 - 5 приводится анодная характеристика диода, из которой можно определить его параметры. [27]
В ней используются фиксирующие свойства диода. [28]
Этот параметр характеризует смесительные свойства диода. Он представляет собой выраженное в децибелах отношение мощности сигнала РВЧ, подведенного к преобразователю, к мощности преобразованного сигнала РПРОМ на более низкой ( промежуточной) частоте. [29]
Этот параметр характеризует смесительные свойства диода. Он представляет собой выраженное в децибелах отношение мощности сигнала Рвч, подведенного к преобразователю, к мощности преобразованного сигнала Рпром на более низкой ( промежуточной) частоте. [30]
Страницы: 1 2 3 4