Cтраница 4
Время включения и отключения зависит только от свойств диода и имеет порядок 10 - 5 - 10 - 8 сек; время разряда зависит от величины емкости. [46]
Встроенные системы защиты от перенапряжений основаны на ограничительных свойствах диодов со стабилитронной характеристикой. [47]
Работа диодов в ограничительных и переключательных устройствах основана на свойстве диодов изменять свое полное сопротивление автоматически от управляемого источника СВЧ сигнала для ограничительных диодов и при изменении смещения от источника управления - для переключательных диодов. [48]
В другом случае согласование параметров потребителя производится только с учетом коммутационных свойств диода без использования всей мощности источника. [49]
![]() |
Схема измерения обратного тока коллекторного перехода.| Схема измерения начального тока коллектора.| Схема приближенного определения коэффициента усиления транзистора по току р. [50] |
Германиевые и кремниевые транзисторы имеют много свойств, общих со свойствами соответствующих диодов, и к ним относятся опи-саннйе выше рекомендации. Соответствие транзистора проекту проверяется путем сопоставления его паспортных данных с величинами, предусмотренными в рабочей схеме. В первую очередь контролируются следующие максимальные величины: ток коллектора / ктах, допустимое обратное напряжение к этах ( мощность на коллекторе Рк тах, коэффициент усиления а 1 кЛ б и падение напряжения Л7К э от прямого тока при полном открытии. [51]
Структура транзистора состоит из двух переходов, каждый из которых обладает свойствами диода, поэтому можно проверить транзистор как диод. [52]
Как известно, транзистор состоит из двух переходов, каждый из которых обладает свойствами диода, поэтому проверить транзистор можно как диод. [53]
![]() |
Инвертор с одной резистор-ной связью.| Диодно-резисторная схема, реализующая логическую функцию Х - А-В - - С - Д на положительные сигналы. [54] |
Максимально достигаемая скорость переключения диодно-резисторных схем определяется временем установления выходного напряжения и зависит от свойств диодов, емкостей соединений, требуемого числа входов и выходов, конструктивного оформления схемы. [55]
Хотя специалист по измерительной технике, как правило, исходит из того, что он не может изменить свойства существующих диодов, OH не может не интересоваться внутренними процессами в диоде и связью их характеристик с этими процессами. [56]
Для получения заданной функциональной зависимости в структурных АВМ широко используются диодные функциональные преобразователи, работа которых основана на свойстве диодов пропускать ток в одном направлении. [57]