Свойство - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Свойства полупроводниковых приборов определяются свойствами исходных материалов. [1]
Свойство полупроводникового прибора выполнять заданные функции, сохраняя свои эксплуатационные показатели в заданных пределах в течение требуемого промежутка времени или требуемой наработки, называется его надежностью. [2]
 |
Уровень Ферми в полупроводниках. а - до контакта. б - после контакта. [3] |
Для объяснения свойств полупроводниковых приборов немаловажным является вопрос о ширине р-л-перехода. [4]
 |
Размещение электронов в невозбужденном состоянии атома натрия. Валентный электрон находится на уровне 3s ( К, L, М - обозначения электронных оболочек. [5] |
Конструирование, разработка технологии и изучение свойств полупроводниковых приборов требуют знания строения вещества и процессов, происходящих в твердых телах. Как известно из курса физики, такое изучение можно начать с рассмотрения энергетических состояний уединенных атомов, а затем перейти к твердым кристаллическим телам, в которых атомы занимают строго определенные положения, обусловленные взаимодействием их друг с другом. [6]
 |
Схема выключателя переменного тока на двух встречно-параллельно включенных тринисторах. [7] |
Отметим, что во всех рассмотренных схемах переключателей постоянного тока реализуются свойства полупроводниковых приборов с четырехслойнон структурой запоминать заданное им внешним сигналом электрическое состояние. [8]
Интерес к этим процессам связан также с тем, что ими определяются многие свойства полупроводниковых приборов. Недостаточно хорошая воспроизводимость и стабильность величин поверхностного заряда и скорости поверхностной рекомбинации приводят к невоспроизводимости и нестабильности характеристик приборов. В то же время создание методов обработки поверхности полупроводников и полупроводниковых приборов, которые могли бы обеспечить достаточную стабильность и воспроизводимость поверхностных свойств, возможно только при понимании природы и закономерностей поверхностных электронных процессов. [9]
Вместо этого мы посвятим наши усилия только изучению точечных дефектов и комплексов, поскольку ими определяются свойства полупроводниковых приборов. [10]
При воздействии различных факторов ( температуры, влаги, химических, механических и других воздействии) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [11]
При воздействии различных факторов ( температуры, влаги, Химических, механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов - оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [12]
При воздействии различных факторов ( температуры, влаги, химических, механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов - оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [13]
Полупроводниковый диод, как и большинство полупроводниковых приборов, представляет собой сочетание двух кристаллов полупроводников с электронной и дырочной проводимостями. Свойства полупроводниковых приборов обусловливаются процессами, происходящими в небольшом объеме вещества у поверхности соприкосновения кристаллов, который называется электронно-дырочным ( р - п) переходом. [14]
Качество любого изделия - это совокупность его свойств, определяющих соответствие установленным в отношении изделия требованиям. Свойства полупроводниковых приборов, так же как и других элементов радиоэлектронных схем, характеризуются целой системой основных и второстепенных параметров. В соответствии с этим работоспособным состоянием полупроводникового прибора будем считать такое, при котором он способен выполнять заданные функции с параметрами, установленными требованиями технической документации. [15]
Страницы: 1 2