Cтраница 2
Инженер электронной техники по специальностям 0604 Полупроводники и диэлектрики и 0629 Полупроводниковые и микро-электронные приборы должен быть специалистом по проектированию, конструированию, технологии и применению приборов и устройств, основанных на различных физических процессах в твердом теле. Без знания принципа действия и свойств конкретного полупроводникового прибора невозможно правильно выполнить расчет, разработать технологию изготовления и организовать производство, исследовать свойства и измерить параметры этого прибора, а также рационально использовать этот прибор в той или иной схеме, в той или иной установке при различных условиях эксплуатации. [16]
Инженер электронной техники должен быть специалистом по проектированию, конструированию, технологии и применению приборов и устройств, основанных на различных физических процессах в твердом теле. Без знания принципа действия и свойств конкретного полупроводникового прибора невозможно правильно выполнить расчет, разработать технологию изготовления и организовать производство, исследовать свойства и измерить параметры этого прибора, а также рационально использовать этот прибор в той или иной схеме, в той или иной установке при различных заданных условиях эксплуатации. Соответственно без прочного усвоения физики полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем невозможно понять и усвоить даже основные положения практически всех специальных дисциплин, которые студенты будут изучать в дальнейшем в соответствии с учебными планами. [17]
Пассивирующие тонкие пленки должны быть непроницаемы для водяных паров, кислорода и других газов. Вместе с тем они не должны изменять свойства полупроводниковых приборов, должны быть стабильными при высоких температурах, но обязаны пропускать или отражать ИК излучение. [18]
При всем раз нообразии полупроводниковых приборов по принципу действия и назначению как элементы электрической цепи они в большинстве случаев выступают в роли нелинейных сопротивлений, которым присущи две особенности - разброс характеристик и ярко выраженная зависимость параметров от температуры. Для того чтобы представить себе, как эти свойства полупроводниковых приборов могут сказаться на режиме работы содержащей их электрической цепи, рассмотрим некоторые примеры. [19]
Не должен нарушаться принцип последовательности обучения. Работа над проектом должна способствовать расширению и углублению знаний о принципах действия и свойствах полупроводниковых приборов, основных электронных функциональных элементов. Вместе с тем необходимо, чтобы при выполнении проекта студент познакомился с различными аспектами применения микросхем, являющихся элементной базой современной ЭА. Следовательно, применение дискретных полупроводниковых приборов и ИМС в проекте должно быть сбалансированным, что возможно только при разработке ЭУ с развитой структурой. [20]
Основываясь на зонной схеме и картине валентных связей в кремнии и германии, можно сделать целый ряд выводов о свойствах этих полупроводников. Например, исходя из чисто качественных соображений, мы приходим к выводу, что свойства полупроводниковых приборов должны существенно зависеть от температуры. Повышение температуры кристалла сопровождается разрывом некоторой части валентных связей и увеличением числа свободных носителей тока. Появление дополнительных носителей тока в обычных полупроводниках приводит к увеличению его проводимости. Многие из параметров, хаоактеризующих свойства полупроводниковых приборов, в значительной мере зависят от величины проводимости и поэтому существенно меняются при изменении температуры. Если мы нагреем полупроводник до такой температуры, при которой все наиболее слабые ( благодаря наличию атомов примеси) валентные связи будут уже разорваны, то дальнейшее нагревание приведет к меньшему росту числа свободных носителей тока, ибо основные валентные связи гораздо прочнее. [21]
Необходимые для указанных целей автоматы могут работать либо от того же источника, что питает и сигнальную лампу, либо от автономного источника питания, либо под воздействием дневного света, энергии текущей воды и др. Лишь с появлением полупроводниковых приборов стало возможным создавать такие автоматы более надежными и экономичными по своим эксплуатационным характеристикам. Для них используют свойства полупроводников резко менять сопротивление при их облучении, а также свойства полупроводниковых приборов открывать и закрывать доступ электрическому току через них при наложении на их электроды напряжения разной полярности. В зависимости от назначения различают автоматы: лампоменятели, дневные выключатели и проблескаторы или проблесковые автоматы. [22]
Практически получение окисных пленок на поверхности кремния с целью уменьшения отражения инфракрасного излучения ограничивается областью с А - СЗ-4 мкм, вследствие трудности получения равномерных пленок толщиной 1 мкм. Разработке метода пассивирования поверхности полупроводниковых приборов из кремния и германия уделяется в настоящее время большое внимание. Появление большого числа публикаций за сравнительно короткий промежуток времени свидетельствует о проведении разносторонних систематических исследований. В них говорится о значительных трудностях выполнения задач, направленных на стабилизацию свойств полупроводниковых приборов. [23]
Основываясь на зонной схеме и картине валентных связей в кремнии и германии, можно сделать целый ряд выводов о свойствах этих полупроводников. Например, исходя из чисто качественных соображений, мы приходим к выводу, что свойства полупроводниковых приборов должны существенно зависеть от температуры. Повышение температуры кристалла сопровождается разрывом некоторой части валентных связей и увеличением числа свободных носителей тока. Появление дополнительных носителей тока в обычных полупроводниках приводит к увеличению его проводимости. Многие из параметров, хаоактеризующих свойства полупроводниковых приборов, в значительной мере зависят от величины проводимости и поэтому существенно меняются при изменении температуры. Если мы нагреем полупроводник до такой температуры, при которой все наиболее слабые ( благодаря наличию атомов примеси) валентные связи будут уже разорваны, то дальнейшее нагревание приведет к меньшему росту числа свободных носителей тока, ибо основные валентные связи гораздо прочнее. [24]