Cтраница 3
Он сохраняет свои сегнетоэлектрические свойства до температуры 80 С. [31]
Кроме материалов с сегнетоэлектрическими свойствами, описанных в § 3 - 20, здесь рассмотрим еще два вида: нелинейную и терморезистив-ную сегнетокерамику. [32]
Тэн не обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Диэлектрические потери тэна на частотах 20Ч - 20 - 103 Гц не больше диэлектрических потерь обычных изолирующих материалов. Электрическая прочность тэна при постоянном электрическом поле не выше 500 В / мм, при переменном поле промышленной частоты не выше 250 В / мм на частотах же 20 - f - 20 103 Гц не выше 60 В / мм. Тэн может быть отнесен к диамагнитным материалам. [33]
Многие кристаллы обладают пьезоэлектрическими и сегнетоэлектрическими свойствами, здесь будут рассмотрены лишь важнейшие из них, используемые на практике. [34]
![]() |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости. [35] |
Кроме сегнетовой соли, сегнетоэлектрическими свойствами обладают некоторые смешанные кристаллы, изоморфные с сегнетовой солью, такие как двойные тартраты - аммониевые, рубидиевые и др., а также дейтерозамещенные соли. Некоторые сведения о них даны в табл. 26 - 1 и ниже. [36]
Капустин и Вистинь [10] обнаружили сегнетоэлектрические свойства в жидкокристаллическом параазоксифенето-ле. [37]
![]() |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков.| Температурные зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков. [38] |
Разные сегнетоэлектрики рассматриваемого типа, Сегнетоэлектрические свойства обнаружены у большого числа новых соединении. [39]
При температурах выше точки Кюри сегнетоэлектрические свойства теряются и самопроизвольная поляризация исчезает. Диэлектрические потери в сегнетоэлектриках значительны, мало изменяются с температурой в области самопроизвольной поляризации и резко падают после точки Кюри. [40]
![]() |
Зависимость емкости монокристаллического образца ВаТЮз т давления ( в Мгс / см2 при температуре 20 С и частоте 800 Гц. По Г. Г. Леонидовой и И. Н. Поландову. [41] |
Сложность вопроса о влиянии добавок на сегнетоэлектрические свойства титаната бария усугубляется открытым Б. М. Вулом фактом отсутствия сегнетоэлектрических свойств и сравнительной малости величины диэлектрической проницаемости у титаната бария, синтезированного из химически чистых исходных продуктов; в то же время добавление небольших количеств примесей ( например, SrO, АЬО3 и др.) или просто использование технических исходных продуктов обеспечивает получение керамики, обладающей сегнетоэлектрическими свойствами. [42]
![]() |
Температурная зависимость ей tg 6 поликристаллического образца PbMgi / aNb2 / sO3. [43] |
В пределах области Кюри кристаллы проявляют необычные электрические и сегнетоэлектрические свойства. Кюри, а не резко, как обычно наблюдается при сегнетоэлектрическом переходе. Температура максимума диэлектрической проницаемости зависит от частоты электрического поля. При наложении постоянного напряжения диэлектрическая проницаемость, измеренная в слабом поле, уменьшается, а максимумы е и tg б сдвигаются в область более высоких температур. [44]
![]() |
Зависимость пьезо-модулей du, dos и d36 сегнетовой соли от температуры. [45] |