Cтраница 4
Индиго, тиоиндиго и многие их замещенные обладают люминесцентными свойствами. [46]
Явление захвата свободных носителей в фотопроводнике позволяет объяснить многие люминесцентные свойства, в частности фотопроводимость соединений типа ZnS. Так как обнаружение процесса захвата проведено непосредственно при комнатной температуре, то предложено аппаратуру ЭПР использовать для измерения фотопроводимости. [47]
Соединения типа А В являются хорошими люминофорами, их люминесцентные свойства давно изучаются, и в настоящее время они в значительной мере объяснены. Полупроводниковые свойства соединений типа А ТВ исследованы в меньшей степени, и объем знаний пока еще недостаточен, чтобы в полной мере понять природу таких свойств, как величина и тип проводимости. [48]
Для определения химического состава вещества могут быть использованы его люминесцентные свойства. Соответствующие химические реакции называются флуоресцентными. Так, для люминесцентного химического анализа могут быть использованы реакции, в результате которых анализируемое вещество приобретает способность флуоресцировать или, если оно обладало уже этим свойством, изменяет характер его свечения. [49]
Помимо типа и параметров решетки, существенное влияние на люминесцентные свойства оказывает степень совершенства самой структуры. Увеличение размера кристаллов до известных пределов влечет за собой увеличение люминесцентной способности и, в частности, фосфоресценции. Необходимо при этом учитывать, что рост кристаллов обусловлен обыкновенно термической обработкой. Последняя систематически уменьшает поликристалличность материала, но скорее увеличивает число дефектов решетки. Эти дефекты, представляющие собой чисто локальные нарушения структуры и состава, могут быть вызваны различными-причинами. Помимо намеренно вносимых загрязняющих примесей, нарушения обусловливаются, например, ослаблением связи или ошибочным расположением элементов самого кристалла в решетке. Независимо от природы, места нарушений оказывают существенное влияние на ход люминесценции, так как искажают нормальное периодическое поле к-ристалла и служат местами для выделения и фиксации свободных электронов. Они оказываются также непроходимым барьером для резонансных процессов, которые принимают широкое участие в транспортировке энергии по кристаллу. [50]
Качественный химический люминесцентный анализ основан на том, что люминесцентные свойства являются характерным признаком излучающего вещества, тесно связанным с его составом, общим состоянием и структурой его молекул. [51]
![]() |
Спектры поглощения Ilia в дихлорэтане с добавлением метанола ( 9о. [52] |
Наличие хромофора с ВВС оказывает большое влияние и на люминесцентные свойства этих соединений. [53]
![]() |
Зависимость от температуры интенсивности люминесценции гексагидрата уранилнитрата с добавками воды. [54] |
В ряде работ [58, 117, 195] рассматривается влияние фотохимических процессов на люминесцентные свойства ураниловых растворов. Бист [195] изучал изменение полной интенсивности и распределение интенсивности при непрерывном облучении растворов уранилнитрата. [55]
Весьма удачно с помощью этой теории могут быть объяснены люминесцентные свойства нежестких молекул. Для суждения о том, возможна или нет люминесценция такого-то рода молекул, Божевольнов предлагает строить силовую модель молекулы, используя данные по величинам атомных радиусов, длине связей и величине валентных углов. Построенная таким образом модель позволяет судить о том, является ли данная молекула копланар-ной или некопланарной и имеются ли у нее зоны перекрывания. Если модель молекулы позволяет установить отсутствие зон перекрывания, то можно утверждать, что при выполнении ряда других условий такая молекула способна флуоресцировать. В том случае, когда имеются зоны перекрывания силовых полей отдельных частей молекулы и переход из одного конформационного изомера в другой связан с преодолением взаимодействия этих зон, то вероятность люминесценции уменьшается, так как на преодоление подобного рода пространственных затруднений затрачивается часть энергии возбуждения. [56]