Cтраница 1
Электронные свойства поверхности отличаются от объемных, в частности наличием электронных поверх-постных состояний. Приповерхностный слой может иметь проводимость, значительно превышающую объемную, а при достаточно сильном изгибе зон изменяется сам характер проводимости и возникает инверсионный слой. Вследствие малой толщины проводящего слоя электроны в нем образуют квазидвумерную систему. В таких слоях может достигаться высокая подвижность электронов [ 10 сма / ( В-с) ], и их использование в микроэлектронных приборах позволяет повысить быстродействие и уменьшить рассеиваемую мощность. [1]
![]() |
Форма кристаллов молиб-дата висмута ( В12О3 - МоО3. [2] |
В этом случае электронные свойства поверхности влияют на скорости мягкого и глубокого окисления бензола. [3]
В монографии рассмотрены термодинамические, кристаллографические и электронные свойства поверхности. Дан обзор экспериментальных методов изучения физики и химии поверхности, причем особый акцент сделан на современные методы исследования. Описаны адсорбционные явления на границе газ - твердое тело, газ - жидкость, жидкость - жидкость, твердое тело - жидкость, а также излог жены данные по адсорбции неорганических ионов из водного раствора. С современных позиций проанализированы многочисленные проблемы гетерогенного катализа, кинетика и механизм электродных реакций и процессы коррозии. Значительное внимание уделено проблемам, связанным с образованием, стабилизацией и коагуляцией коллоидных систем, а также электрическим явлениям на границе коллоидная частица - раствор. [4]
![]() |
Активности перовскитов и шпине, в реакции окисления пропилена при 400 С.| Каталитическая активность металлов, оксидов, шпинелей и перовскитов в реакции окисления. [5] |
Теоретически показано, что в перовскитах электронные свойства поверхности должны отличаться от свойств в обычных оксидах-полупроводниках. [6]
Стимулом их работы служило желание выяснить подробнее электронные свойства поверхностей катализаторов. [7]
Другим существенным фактором, определяющим изменение каталитической активности при переходе от одной грани кристалла к другой, могли бы быть электронные свойства поверхностей этих граней. Поверхностные атомы на различных кристаллических гранях имеют различное окружение и неодинаковое число ближайших соседей. [8]
Электронные свойства поверхности ковалентных полупроводников определяются поверхностными состояниями, что обусловливает эффект фиксации уровня Ферми на поверхности. В ряде материалов сильное влияние поверхностных состояний приводит даже к перемене типа проводимости поверхности. [10]
При модификации окислов регулирование селективности достигается введением добавок с различной электроотрицательностью, изменяющих электронные свойства поверхности. При образовании химических соединений из окислов селективность реакции зависит от взаимного расположения металлических и кислородных ионов на поверхности. В области многофазных систем для катализа имеют значение оба этих фактора. [11]
При модификации окислов регулирование селективности достигается введением добавок с различной электроотрицательностью, изменяющих электронные свойства поверхности. При образовании химических соединений из окислов селективность реакции зависит от взаимного расположения металлических и кислородных ионов на поверхности. В области многофазных систем для катализа имеют значение оба этих фактора. [12]
Переход от простых окислов к сложным окисным системам ( молибдаты, фосфаты и др.), представляющим собой химические соединения и твердые растворы, заставил более осторожно трактовать действие модификаторов. На некоторых системах было экспериментально показано, что при введении добавок в катализаторы электронные свойства поверхности изменяются мало ( работа выхода электрона практически остается Постоянной), а селективность процесса значительно увеличивается или уменьшается. Обнаружено, что добавки могут способствовать то-похимическим процессам в катализаторе и изменять его структуру. [13]
Это послужило поводом для постановки Трэпнеллом [9] вопроса о том, со-ответствуют ли электронные свойства поверхности металла электронной структуре объема кристалла или они ближе отвечают электронной структуре свободных атомов. Исследование этого вопроса представляет значительный интерес, но в настоящее время нет серьезных доводов в пользу второго варианта. [14]
Высокая каталитическая активность Ge по отношению к опробованным реакциям указывает, по нашему мнению, на несостоятельность концепции об исключительной роли незаполненных d - уровней в гетерогенном катализе. Что касается опытов с высокоомными образцами п - и p - Ge, то они, по-видимому, находятся в согласии с данными многочисленных исследований, посвященных электронным свойствам поверхности Ge, согласно которым наличие на поверхности Ge огромного числа поверхностных уровней приводит к квазиизолированности поверхности от объема. [15]