Частотное свойство - диод
Cтраница 1
 |
Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [1] |
Частотные свойства диода определяются в основном емкостью р-п перехода. На рис. 2.8 показана упрощенная эквивалентная схема диода, где г0 - сопротивление объема полупроводникового материала; гп - сопротивление р-п перехода, оно определяется вольт-амперной характеристикой диода ( при прямых смещениях низкое, при обратных - высокое); С - емкость р-п перехода. [2]
Частотные свойства диода характеризуются его емкостью и индуктивностью. [3]
Частотные свойства диодов должны удовлетворять требуемому быстродействию схемы. [4]
Частотные свойства диода должны удовлетворять требуемому быстродействию ограничителя. [5]
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [6] |
Частотные свойства диодов характеризуются также временем восстановления обратного сопротивления. Основная причина, инерционности диодов при работе в импульсном режиме обусловлена процессом накопления неравновесных носителей заряда в областях транзисторной структуры. Время восстановления обратного сопротивления зависит от размеров областей транзисторной структуры, времени жизни неравновесных носителей заряда и значения прямого тока через диод. [7]
 |
Вольт-амперная характеристика ( а и устройство ( 6 точечного диода Д10А. [8] |
Частотные свойства диодов характеризуются предельной ( максимальной) частотой / max, на которой выпрямленный диодом ток снижается на 70 % от выпрямляемого тока на относительно низких частотах. [9]
 |
Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой. [10] |
На частотные свойства диодов Шотки основное влияние должно оказывать время перезарядки барьерной емкости перехода. [11]
 |
Зависимость допустимого среднего значения прямого тока от частоты ( для синусоидального подводимого напряжения и активно-индуктивной нагрузки. [12] |
Практически не влияет на частотные свойства диодов снижение величины обратного напряжения. Снижение величины прямого тока, напротив, существенно влияет на повышение частотного предела работоспособности диодов. [13]
Для худших и лучших по частотным свойствам диодов каждой группы были рассчитаны на ЭЦВМ и построены годографы проводи-мостей и нагрузочные характеристики. [14]
Верхнее значение частоты / в полосы пропускания определяется частотными свойствами диода, значениями междуэлектродных и монтажных емкостей и индуктивностей подводящих проводов. Для сведения к минимуму влияния последних факторов ПАЗ конструктивно оформляется в виде пробника и выносится за пределы прибора. [15]
Страницы: 1 2