Частотное свойство - диод
Cтраница 2
В-третьих, не давая возможности осуществить точную настройку емкости перехода в резонанс, сопротивление га должно повлиять и на частотные свойства диода. [16]
 |
Зависимость тока / Макс германиевого ТД от температуры при различных концентрациях носителей. [17] |
ТД с небольшой зависимостью / макс от температуры, причем этому условию будет соответствовать определенная величина / Макс / Сд, характеризующая, как будет показано в дальнейшем, частотные свойства диода. Макс с ростом температуры почти не изменяется. [18]
Собственная емкость полупроводниковых диодов зависит от площади выпрямляющего контакта. В плоскостных диодах площадь контакта велика, что увеличивает емкость перехода ( 20 пф) и ухудшает частотные свойства диода. Поэтому плоскостные диоды применяются только на низких частотах. У точечных диодов емкость перехода составляет 0 25 - 1 пф. [19]
Амплитудный ЭВ или диодно-конденсаторный выполняется по первой схеме с использованием преобразователя пикового значения. Показания такого ЭВ пропорциональны амплитудному значению измеряемого напряжения. Верхняя граница частотного диапазона измерения определяется частотными свойствами диода, значениями монтажных емкостей и индуктивностью подводящих проводов, нижняя граница - постоянной времени разряда конденсатора: чем больше ее значение, тем ниже граница частотного диапазона. [20]
Страницы: 1 2