Типичное значение - параметр
Cтраница 1
Типичные значения параметров для некоторого транзистора следующие: / 1цб20 Ом; Ai262 - 10 - 4; / z2ia28; / z2260 4 - 10 - 5 См. [1]
Типичные значения параметров германиевых туннельных диодов ( RC - 10 - 9 сек, rs - 1 ом) требуют для выполнения равенства (7.1.26) индуктивности, меньшей 10 - 9 гн. Обычные же диоды, у которых электрический контакт с р - - переходом осуществляется тонкими проволоками, имеют индуктивности, не меньше 3 - 10 - 9 гн. [2]
Типичные значения параметров режимов работы кристаллизатора на растворах этих солей приведены в таблице. [3]
Для типичных значений параметров второй и третий члены в левой части уравнения ( 17) - порядка единицы, а первый член значительно больше единицы в силу определения короткодействующего потенциала. Зависимость AEg от размера кластера обусловлена размерной зависимостью числа ближайших соседей в кластере: чем больше кластер, тем больше это число. [4]
Для типичных значений параметров металлов оценить температуру Т, при которой электронная и решеточная теплоемкости становятся равными. [5]
При типичных значениях параметров ( см. разд. [6]
Если взять типичные значения параметров реальных ТРМЭ, то частоты не должны превышать нескольких килогерц. За счет уменьшения толщины резиновых слоев этот предел можно увеличивать. [7]
Используя приведенные ниже типичные значения параметров кристаллического поля для плоскоквадратных комплексов, определите орбитальную заселенность в таких комплексах с конфигурациями металла от dl до d9, а также число иеспаренных электронов в каждом случае. [8]
Вводя в формулу типичные значения параметров асинхронной машины ( cot 314 рад / с; ( OjS / ц 31 4 рад / с; со 47 1 рад / с; 0 9675; k - i 0 9525; k 0 92; а 1 - k 0 08), убедимся в том, что второй член в этой формуле составляет не более 0 02 первого. [9]
Вводя в формулу типичные значения параметров асинхронной машины ( MI 314 рад / с; co1s / rl 31 4 рад / с; со и 47 1 рад / с; & х 0 9675; k - i 0 9525; k 0 92; а 1 - k 0 08), убедимся в том, что второй член в этой формуле составляет не более 0 02 первого. [10]
В табл. 7.1 представлены типичные значения параметров, характерные для полимеризации виниловых соединений. [11]
 |
Потери при распространении ЭМП для пары параллельных проводов ( 50 Ом. [12] |
В табл. 1.5 приведены типичные значения параметров импульсов помех, возникающих при переходных процессах в различных источниках. [13]
Данное условие соответствует при типичных значениях параметров ритической плотности дислокаций р - 109 см 2, при достижении которой в локальном объеме роисходит зарождение неоднородных дислокационных структур. [14]
В ряде случаев в таблицах указаны типичные значения параметров, не нормируемых действующими техническими условиями. Значения таких параметров взяты в скобки. [15]
Страницы: 1 2 3