Cтраница 3
Следует отметить, что термообработка обладает лишь одной степенью свободы: задерживание невозможно улучшить без снижения потока воды. Действительно, задерживание, определяемое при постоянной разности Ар - Ал - отношением А / В, изменяется в интервале температур термообрабоки 7О - 9О С приблизительно обратно пропорционально изменению А, так что величина А2 / В при измененном рабочем давлении почти постоянна. Этот эмпирический параметр является хорошим показателем достоинств анизо - тропных ацетатцеллюлозных мембран. Типичные значения параметра располагаются в интервале 1 - 2 1О 6, если Л и В выражаются в единицах системы СГС. [31]
Зависимость следа степеней матрицы Т.| Алгоритм метода дихотомии. [32] |
Этот отрезок делят пополам, после чего выясняют, какая половина обладает указанным выше свойством. Дроцесс деления продолжают до тех пор, пока точка, соответствующая границе, не окажется локализованной с наперед заданной точностью. Вообще точность построения границы характеризуется двумя величинами: шагом по одному параметру, например Ру, и предельной длиной деления е отрезка по другому параметру. Если типичные значения параметров Р / и Ру имеют порядок единицы, то шаг ДР - 0 01 и предельная длина отрезка Д 5 / е0 001 представляются вполне разумными для технических приложений. [33]
Обсудим возможности усиления поверхностных волн в полупроводниках электронным пучком. В отсутствие столкновений фазовая скорость поверхностной волны ш / / г2 с - ъ - может быть сколь угодно малой. В частности, при ш ш ( е 1) - - 1 / 2 она обращается в нуль. Для типичных значений параметров v 10й с-1, е 1012 с-1 и ю - - 1012 с - величина г ( 1) имеет порядок единицы. Иными словами, сильная резонансная связь между колебаниями в миллиметровой области частот осуществляется только в случае релятивистских скоростей пучка. [34]
Для более сложных систем проделаны приближенные расчеты. Установлены некоторые общие качественные закономерности проявления СТВ-механизма S - Г - переходов в рекомбинации радикалов: аддитивность различных каналов S - Т для короткоживущих в клетке РП, эффект интерференции этих каналов в долгоживущих парах, роль пересечений термов РП в ускорении интеркомбинационных переходов. Однако в общем случае для количественного обсуждения эффектов магнитного поля в рекомбинации РП в слабых полях, по-видимому, необходимо проводить расчеты для каждой конкретной пары радикалов, так как эффективность синглет-триплетного смешивания термов РП может существенно зависеть от числа магнитных ядер, от величин и знаков констант сверхтонкого взаимодействия. Проведенные расчеты полевого эффекта в рекомбинации РП в слабых полях показывают, что СТВ может заметно изменить вероятность реакции. Согласно данным табл. 1.9 и 1.10, для синглетного предшественника РП с ростом магнитного поля вероятность рекомбинации может измениться примерно на 10 % для типичных значений молекулярно-ки-нетических параметров. Особенно большие эффекты поля могут иметь место в случае триплетного предшественника пары радикалов. Одновременно эти результаты показывают, что в рекомбинации радикалов может проявляться магнитный изотопный эффект порядка Ю - % для геминальной рекомбинации РП из начального синглетного состояния. Еще больших изотопных эффектов следует ожидать для рекомбинации РП из начального триплетного состояния. [35]