Cтраница 2
Валентность понимают как количество ковалент-ных связей, которое образует атом в данном соединении. [16]
Атом водорода может образовывать простую ковалент-ную связь за счет пары электронов. Это имеет место в молекулярных гидридах неметаллов, в таких ионах, как, например, ОН -, NH4, в органических соединениях, а также в некоторых гидридных соединениях переходных металлов. [17]
В тканях он соединен ковалент-ными связями со специфическим белком, образуя гликопротеин. [18]
Собственная электропроводность полупроводников вызвана разрывами ковалент-ных связей и переходом валентных электронов в зону проводимости, В таких полупроводниках число валентных электронов, ушедших в зону проводимости, равно числу дырок, образовавшихся в результате ухода валентных электронов. Поэтому ток в полупроводниках с собственной электропроводностью создается направленным движением свободных электронов и направленным перемещением дырок. Следует помнить, что направленное перемещение дырок является следствием перемещения электронов в валентной зоне, но направление дырочного тока совпадает с направлением перемещения дырок и противоположно действительному направлению перемещения свободных электронов в валентной зоне. Концентрация дырок в полупроводнике типа I равна концентрации электронов. [19]
Итак, ковалентность определяется числом ковалент-ных связей, образуемых атомом в его соединениях. [20]
Грэм [29] предположил существование некоторой ковалент-ной связи между специфически адсорбированными анионами и ртутью. В качестве доказательства, подтверждающего это предположение, он привел линейную зависимость между дифференциальной емкостью при предельно положительных потенциалах, при которых только могут быть проведены измерения, и логарифмом концентрации ионов ртути в солях, соответствующих данному аниону. Эта интерпретация природы специфической адсорбции была отвергнута Левиным, Беллом и Кальвертом [31], которые считали причиной специфической адсорбции - действие сил изображения ( см. раздел 4 этой главы), и Бокрисом, Дева-натханом и Мюллером [32], которые утверждали, что степень и тип ионной гидратации являются главным фактором, который необходимо учитывать. [21]
Сиджвик принял идеи Льюиса о двухэлектронной ковалент-ной связи между двумя атомами в молекуле и ввел понятие координационной связи для случая, когда оба электрона, образующие связь, поставляются одним атомом. Заметив, что все молекулы или ионы, которые могут присоединяться к иону металла, имеют по крайней мере одну неподеленную пару электронов, он предположил, что эта свободная электронная пара частично может быть отдана иону металла при образовании связи. Такую связь называют дативной или семиполярной и иногда изображают стрелкой ( М - L), которая указывает, что донорная группа ( L) поставляет на связь с акцептором ( М) оба электрона. [22]
Существует несколько методов доказательства наличия ковалент-ной связи активного красителя с волокном. [23]
При этом главная роль принадлежит ковалент-ным связям Me-X, а ионная доля связи в таких соединениях незначительна. [24]
Обычно реакции мзжду веществами с прочными ковалент-ными связями, ослабить которые трудно, идут медленно. Это наблюдается в большинстве реакций между органическими веществами. Полярные вещества взаимодействуют между собой обычно быстрее, чем неполярные, иногда очень быстро. [25]
Более общим типом химической связи является ковалент-ная связь. Современная теория связи объясняет возникновение ионной связи из ковалентной в результате предельной односторонней поляризации ( смещения) электронного облака связи, когда последнее переходит во владение одного из соединяющихся атомов. [26]
Между атомами германия и кремния осуществляется ковалент-ная связь ( во всем объеме полупроводника каждый атом имеет два общих электрона с соседним атомом), однако в некоторых из этих связей не хватает по одному электрону. В физике полупроводников такие незаполненные междуатомные связи называют дырками. В массе полупроводника имеются также свободные электроны. В абсолютно чистом полупроводнике, например состоящем только из атомов германия или кремния, если отсутствуют внешние электрические силы, число свободных электронов равно числу дырок. В примесных же полупроводниках количества свободных электронов и дырок различны. [27]
Метод спиновой метки заключается в образовании ковалент-ной связи между различными нитроксидными радикалами и диамагнитными полимерами, которые не имеют неспаренных электронов и не дают спектров ЭПР. Измеряя ширину линий в ЭПР-спек-трах полимеров, содержащих стабильные нитроксидные радикалы, можно оценить молекулярные переходы. [28]
В кристаллах чистых полупроводников при разрыве ковалент-ных связей появляются свободные электроны и равное им число дырок. Каждой температуре соответствует подвижное равновесие между электронами и дырками: сколько электронов образуется, столько же их соединяется с дырками. Поэтому проводимость в чистом полупроводнике осуществляется одновременно зарядами обоих знаков. Такая проводимость называется собственной проводимостью полупроводника. [29]
В этом случае на образование четырех ковалент-ных связей с атомами кремния у каждого атома бора не достает по одному электрону, поэтому один электрон от атома кремния переходит к атому бора. Переход электрона сопровождается образованием дырки там, где ранее находился этот электрон. Следовательно, в кристалле кремния число дырок становится больше числа свободных электронов и кремний приобретает дырочную проводимость. Полупроводник, проявляющий только дырочную проводимость, называют полупроводником р-типа 2 ( позитивный), а примеси, создающие эту проводимость - акцепторными примесями. [30]