Cтраница 3
Отношение слабой связи между агрегатами системы можно представить неориентированным графом, соединив ребрами слабо связанные агрегаты. Однако такой граф часто оказывается недостаточно наглядным. [31]
Отношение слабой связи между агрегатами обладает свойством транзитивности: если агрегаты d и Ch слабо связаны, агрегаты Ck и Cj слабо связаны, то агрегаты Ct и Cj также слабо связаны. Для отношения сильной связи между агрегатами свойство транзитивности в общем случае не имеет места. В упомянутом примере агрегаты С2 и С7 сильно связаны, агрегаты С7 и С4 сильно связаны, но агрегаты С2 и С4 лишь слабо связаны. [32]
Из-за слабой связи К с оператором спина S квадрат момента, соответствующий оператору К2, будет приближенным интегралом движения. [33]
При слабой связи ( рис. 5, а ] все валентности замкнуты: молекула О2 образует с поверхностью валентно насыщенное образование. [34]
Наличие слабых связей было доказано опытами, проводившимися как с истинными растворами, так и с гетерогенными системами. В некоторых случаях результаты, полученные с такими системами, хорошо согласуются между собой. Известно, например, что отдельные молекулы целлюлозы проходят через несколько кристаллических и аморфных областей. Часто в начальной стадии разрыв цепей с большой скоростью происходит преимущественно в аморфных областях, а после того как реакция достигнет границ кристаллических областей, скорость реакции падает, поскольку в этом случае должен происходить разрыв менее уязвимых связей, расположенных внутри кристаллов. Это было особенно хорошо показано в недавних элек-трономикроскопических исследованиях, поставленных с целью изучения изменений в структуре целлюлозных частиц при гетерогенном гидролизе в мягких условиях. [35]
Ввиду слабой связи с ядром атома электроны внешних оболочек могут легко покидать атом, вступать в химические реакции и участвовать в электронных процессах. Во внешних оболочках располагаются электроны атома, определяющие валентность вещества, поэтому внешние оболочки называются валентными. [36]
![]() |
Временные диаграммы напряжений на конденсаторах первого и второго контуров. [37] |
При слабой связи относительная расстройка между этими частотами невелика и поэтому частота огибающей биений 6 Y2 ( eo2 - ffoi) существенно ниже частоты высокочастотного заполнения ( ов / 2 ( 01 0102), близкой к частоте собственных колебаний одиночного контура без связи. [38]
При слабой связи ( RBH Ri) энергия, переходящая во вторичный контур через элемент связи, меньше энергии потерь в первичном контуре. [39]
Формализм слабой связи пригоден для большинства ионных кристаллов, так что свойства избыточного электрона в этих средах существенно не зависят от взаимодействия с полем поляризации среды. Иначе говоря, предел слабой связи приводит к возмущенным функциям блоховского типа, характеризующимся равной вероятностью нахождения электрона во всех точках среды. Таким образом, в случае ионных кристаллов современное описание полярона соответствует движению электрона совместно с поляризацией среды. [40]
Благодаря слабой связи между резонаторами и большому затуханию в элементе связи ( стеклянная крепежная пуговка) высокочастотных составляющих, форма выходного напряжения ненагруженного резонатора и усилителя, работающего в линейном режиме, весьма близка к синусоидальной. Следовательно, кратковременная стабильность генератора высока. Это особенно важно на высоких частотах. [42]
При слабой связи резонансная кривая тока / 2 имеет один максимум. [43]
![]() |
Круговая диаграмма для трех степеней связи резонатора с линией передачи. [44] |
При слабой связи ( 3 1) геометрическое место точек входного полного сопротивления представляет собой окружность, которая охватывает лишь незначительный интервал изменений фазового угла. Поэтому данные о фазе не могут обеспечить высокой точности результата. В то же время КСВН, соответствующий точкам этой окружности, сильно зависит от частоты, что обеспечивает высокую точность измерений. Если связь значительно больше критической ( 3 1), окружность приближается к границе круговой диаграммы. При этом КСВН существенно не меняется, а фазовый угол изменяется значительно и дает более высокую точность измерений. [45]