Cтраница 4
Приближение слабой связи подразумевает разложение по К. [46]
Образование слабой связи на поверхности можно рассматривать как перенос электронов от ионизованного примесного состояния или к нему либо непосредственно, либо через стадию образования поверхностного состояния, результатом чего является локализация связи. [47]
Перегрузка слабых связей может сопровождаться нарушением устойчивости работы. При этом приходят в действие специальные автоматические устройства, которые отключают перегруженные линии связи. Энергосистема становится изолированной, а мобилизуемый резерв мощности ограничен только аварийным резервом Ррез данной системы. Если аварийная потеря генерирующей мощности ДРГ превышает Ррез, то частота в отделившейся системе понижается и возможно действие устройств автоматической частотной разгрузки АЧР. Таким образом, можно условно принять, что для электростанции значение ущерба будет зависеть от аварийного резерва мощности, которым располагает данная энергосистема, а также от уставок АЧР на подстанциях этой системы. [48]
Для слабых связей ( типа ван-дер-ваальсовой) эта энергия составляет 0 01 - 0 1 эВ, для сильных связей ( типа валентной) она достигает порядка единиц электрон-вольт. Поэтому, если атомы осаждаемого вещества образуют с поверхностью подложки сильную связь, а атомы или молекулы остаточной среды - слабую связь, пленка будет расти практически свободной от молекул остаточной среды и необходимость в поддержании столь высокого вакуума, как 10 - S Па, в значительной мере отпадает. Такие условия создаются, в частности, при ведении процесса напыления в инертной среде и в среде, состоящей из молекул с насыщенными связями. [49]
![]() |
Зависимость результирующего затухания от связи с антенной. [50] |
При слабой связи, если а 0 5 и меньше, полоса расширяется всего на 25 % и менее. [51]
Существование подобной слабой связи объясняется тем, что между отрицательно заряженными электронами и положительным ядром действуют электрические силы, описываемые законом Кулона. Ослабление сил связи с возрастанием расстояния усугубляется еще и тем, что валентные электроны заэкранированы от ядра всеми электронами внутренних оболочек. Эти два фактора главным образом и приводят к тому, что наружные электроны атомов металлов особенно слабо, слабее, чем соответствующие электроны атомов металлоидов, связаны со своими ядрами. Когда атомы металла находятся друг от друга на больших расстояниях, что имеет место, например, в разреженной газовой фазе, все принадлежащие им электроны концентрируются вокруг своих ядер и мы имеем дело с обычными, нормальными атомами, а не с ионами. [52]
![]() |
Семейство резонансных кривых для связанных контуров. [53] |
При слабой связи Ik - резонансные кривые подобны кривым одиночного контура. [54]
При слабой связи частицы не могут нести нагрузку и дополнительная деформация матрицы на участках концентрации напряжений лишь незначительно повышает вязкость разрушения. [55]
![]() |
Результаты испытания вулканизатов бутадиен-стирального каучука с различными наполнителями. [56] |
Сочетание прочных и слабых связей в микрогетерогенных вулканизационных структурах и приводит к дополнительному увеличению прочности вулканизатов. [57]
Поддерживая слабую связь на участке, во много раз превышающем К и практически достаточном для полного излучения поверхностной волны из волновода, получают на выходе из призмы широкий световой пучок с малой дифракционной расходимостью. [59]
При слабых связях они незначительны - меньше 1, при сильных связях в апериодич. [60]