Слабая гомеополярная связь

Cтраница 1

Слабая гомеополярная связь соответствует тому случаю, когда атом А в адсорбированном состоянии сохраняет свою валентность ненасыщенной. Адсорбционным центром при этом служит ион М поверхностного слоя решетки. Связь возникает за счет затягивания валентного электрона атома А с атома А на решетку. [1]

Адсорбированный радикал, находящийся в состоянии слабой гомеополярной связи с поверхностью, сохраняет свою свободную валентность ненасыщенной, а в состоянии прочной гомеополярной связи перестает быть радикалом и насыщает свою свободную валентность свободным электроном решетки. При ионной связи адсорбированного атома А с решеткой адсорбента L адсорбционными центрами служат ионы поверхности кристалла. Ионная связь, так же как и прочная гомеополярная, представляет собой состояние с насыщенной валентностью. L представляет собой атом Н, потерявший 20 % своей активности. Вероятно, все эти связи легко переходят друг в друга. [2]

Возможны дна пути перехода адсорбированного атома А из состояния слабой гомеополярной связи в состояние ионной связи. [3]

Атом А, адсорбированный на поверхности ионного кристалла и находящийся в состоянии слабой гомеополярной связи с поверхностью, представляет собой структурный дефект именно такого сорта. [4]

Локализация электрона или локализация дырки на адсорбированном атоме А, находящемся в состоянии слабой гомеополярной связи с кристаллом, приводит, как увидим ниже, к изменению характера связи атома с кристаллом. Слабая гомео-полярная связь в результате локализации электрона переходит в прочную гомеополярную связь, а при локализации дырки - в ионную связь. [5]

Рассмотрим задачу о поведении свободного электрона в решетке, на поверхности которой адсорбирован атом А, находящийся в состоянии слабой гомеополярной связи с поверхностью. Мы имеем в данном случае двухэлектронную задачу: валентный электрон атома А, осуществляющий связь, плюс свободный электрон решетки. [6]

В случае ионной связи, как и в случае прочной гомеополярной связи, валентность атома А насыщена в отличие от слабой гомеополярной связи, при которой валентность атома А остается ненасыщенной. [7]

В работах автора [1-5] было показано, что возможны три типа связи атома А с решеткой MR, которые мы условно назвали слабой гомеополярной связью, прочной гомеополяр-ной связью и ионной связью. Рассмотрим каждый из этих типов связи. [8]

Во-вторых, адсорбироваться может только одна молекула ( рис. 1046), а вторая взаимодействует с адсорбированными частицами из газовой фазы, образуя одну из молекул продукта и оставляя на поверхности радикальный остаток, связанный с ней слабой гомеополярной связью. [9]

Адсорбированный атом А, находящийся в состоянии слабой гомеополярной связи с поверхностью, представляет собой структурный дефект, нарушающий строго периодическую структуру поверхности. По отношению к свободным электронам и дыркам кристаллической решетки этот структурный дефект играет двоякую роль; он является, вообще говоря, как центром локализации для свободного электрона, так и центром локализации для свободной дырки. [10]

Атом, находящийся в состоянии ионной связи с поверхностью, так же как и атом, находящийся в состоянии прочной гомеополярной связи, будем обозначать символом AL. Возможны два пути перехода адсорбированного атома А из состояния слабой гомеополярной связи в состояние ионной связи. [11]

Все три типа связи теоретически могут переходить один в другой. С точки зрения поверхностных реакций между адсорбированными частицами наибольшей, если не преимущественной активностью, разумеется, будет характеризоваться слабая гомеополярная связь. [12]

Схема электронных уровней полупроводника ( а. [13]

В первом случае в образовании связи участвует свободная валентность поверхности, во втором - в решетке образуется электронная дырка. Энергетически первый путь, по-видимому, предпочтительней, и поэтому наличие электронов в зоне проводимости должно благоприятно сказываться на упрочнении слабой гомеополярной связи при адсорбции. Поскольку электрон снова может с локального уровня перейти или в зону проводимости или в валентную зону, оба типа связи могут переходить друг в друга. [14]

Взаимное насыщение двух одноименных валентностей ( положительная валентность атома А плюс свободная положительная валентность поверхности) приводит, как обычно, к образованию гомеополлрной связи; взаимное насыщение двух разноименных валентностей ( положительная валентность атома А плюс свободная отрицательная валентность поверхности) - к образованию ионной связи. Если при переходе из состояния слабой в состояние прочной гомеополярной связи адсорбированный атом А выступает в роли акцептора, то при переходе из состояния слабой гомеополярной связи в состояние ионной связи тот же атом выступает в роли донора. [15]

Страницы: 1 2