Cтраница 2
![]() |
Схема электронных уровней полупроводника ( а. [16] |
Образование ионной связи из слабой гомеополярной, если электрон, которым она была обусловлена, перейдет в решетку. Тогда положительно заряженный адсорбированный ион будет удерживаться избыточным отрицательным зарядом решетки. С позиций реакционной способности адсорбированных частиц важно, что прочная гомеополярная и ионная связи представляют собой состояния с насыщенной валентностью, а у слабой гомеополярной связи свободная валентность адсорбированного атома остается ненасыщенной. [17]
Согласие теории межатомного взаимодействия возможны три предельных случая. В первом случае в результате взаимодействия атомов ( или молекул) отсутствует обмен электронами между приблизившимся к поверхности свободным атомом и атомами поверхности, но происходит слабая поляризация свободного атома. Этот 1случай называется физической адсорбцией и энергия взаимодействия атома с поверхностью определяется силами Ван-дер - Ваальса. Во втором случае может происходить слабое химическое взаимодействие с образованием слабой гомеополярной связи. Это, случай слабой хемосорбции и, наконец, третий случай сильной хемосорбции, которая происходит в результате образования гетерополярной химической связи. [18]
Эта схема предполагает, что в процессе адсорбции происходит диссоциация взаимодействующей с поверхностью молекулы. Прочная гомеополярная связь и ионная связь представляют собой состояния с насыщенной валентностью, а при слабой гомеополяр-ной связи свободная валентность остается ненасыщенной. Все три типа связи теоретически могут переходить один в другой. С точки зрения поверхностных реакций между адсорбированными частицами наибольшей, если не преимущественной, активностью, разумеется, будет характеризоваться слабая гомеополярная связь. [19]
Во-первых, обе молекулы могут диссоциировать на поверхности ( рис. 123, а) и дать четыре адсорбированных радикала, мигрирующих в состоянии слабой связи по поверхности. Встречаясь, они образуют продукты реакции, которые и десорбируются. Во-вторых, адсорбироваться может только одна молекула ( рис. 123 6), а вторая взаимодействует с адсорбированными частицами из газовой фазы, образуя одну из молекул продукта и оставляя на поверхности радикальный остаток, связанный с ней слабой гомеополярной связью. [20]
Первая прочная связь называется n - связью, или акцепторной связью, так как в ней участвует свободный электрон, захваченный адсорбированной частицей: вторая прочная связь называется р-связью, или донорной связью, так как в ней участвует захватывающая адсорбированной частицей дырка. По своей природе акцепторная связь, как и донорная, может быть чисто ионной, чисто гомеополярной или, в общем случае, связью смешанного типа. Это зависит от природы адсорбата и адсорбента. Образование ионной связи из слабой гомеополярной, если электрон, которым она была обусловлена, перейдет в решетку. Тогда положительно заряженный адсорбированный ион будет удерживаться избыточным отрицательным зарядом решетки. С позиций реакционной способности адсорбированных частиц важно, что прочная гомеополярная и ионная связи представляют собой состояния с насыщенной валентностью, а у слабой гомеополярной связи свободная валентность адсорбированного атома остается ненасыщенной. [21]