Некристаллическое вещество

Cтраница 3

Однако склонность к амортизации соединений, содержащих кремний, приводит к появлению при осаждении в вакууме больших количеств аморфизированиой фазы. В некристаллических веществах большой вклад в проводимость дает локализация внутри флуктуации плотности свободных носителей заряда. Вследствие этой локализации возникает прыжковая проводимость. [31]

Полиизобутилены являются третьим примером высокомолекулярного алифатического углеводорода с регулярной структурой. Полимеры эти - некристаллические вещества и в зависимости от молекулярного веса варьируют от масел до полутвердых смол. Таким образом, регулярное диметилирова-ние каждого второго атома углерода в длинных углеродных цепях вызывает такое разделение цепей, чтобы помешать кристаллизации в нерастянутом образце. Однако ориентация цепи, вызванная растяжением материала, делает кристаллизацию возможной. [32]

Как и в любом другом некристаллическом веществе, в аморфном металле отсутствует дальний порядок в расположении атомов. Данные по рассеянию рентгеновских лучей аморфными телами можно пытаться объяснить как в рамках микрокристаллитной структуры, так и в рамках модели непрерывной сетки. Исследования последних лет, в частности опыты по электрон-позитроннои аннигиляции, дают веские основания считать, что в аморфном металле существует распределение атомов без каких-либо разрывов типа границ зерен и точечных дефектов, характерных для кристаллов. Предполагается, что в металлическом стекле существует хаотическое непрерывное распределение сферических частиц, характеризующееся плотной упаковкой. [33]

В настоящее время широко используются некристаллические вещества, к которым относятся жидкие полупроводники, стекла и аморфные напыленные пленки. Фототок в аморфных полупроводниках определяется главным образом носителями, находящимися в распространенных ( нелокализованных) состояниях. В отличие от большинства кристаллических полупроводников, у которых фотопроводимость имеет максимум вблизи края собственного поглощения, в аморфных полупроводниках фотопроводимость характеризуется менее резкой спектральной зависимостью. Фоточувствительность их нарастает вблизи края оптического поглощения и при больших энергиях остается достаточно высокой. Отсутствие спада чувствительности в коротковолновой области спектра свидетельствует о том, что рекомбинация в объеме полупроводника преобладает над рекомбинацией на поверхности. Почти все аморфные полупроводники имеют довольно размытый край фундаментального поглощения. [34]

Зависимость плотности состояний от энергии для кристалла ( а и аморфных твердых тел ( б, в. Локализованные состояния заштрихованы. [35]

Ясно, что в первом случае ( рис. 11.5 6) представление о запрещенной зоне сохраняет точный смысл: имеется область энергий, где плотность, состояний тождественно равна нулю. Предполагается, что таким энергетическим спектром обладают прозрачные некристаллические вещества. Тем не менее указанная область Ес-Ev принципиально отличается от разрешенных зон. Так, электроны, локали - зованные здесь на дискретных уровнях, могут участвовать в переносе заряда только путем перескоков. При Г-0 К вероятность последних стремится к нулю, так что их вклад в электропроводимость полностью исчезает. [36]

Некоторое увеличение концентрации других ПМ дает поликристаллическое вещество. Сосуществование сравнимых количеств ПМ приводит к образованию некристаллического вещества. При относительно малых концентрациях и ( или) числе других ПМ возникает ультрадисперсное вещество ( fl - Si, о - С, fl - As, a - A lBv и пр. [37]

Эта концепция не ограничивается стеклообразующими веществами. Фактически это более широкая концепция полиморфно-кристаллитной неупорядоченной сетки некристаллического вещества. [38]

Так, термин стекло иногда используют для обозначения любых некристаллических веществ, полученных охлаждением из расплава, иногда только для квазиравновесных, иногда, наоборот, для полученных сверхбыстрой закалкой. [39]

Плотности состояний в некристаллических полупроводниках. а - незначительная разупорядоченность. 6 - сильная разупорядоченность. [40]

Отсутствие жесткой кристаллической структуры приводит, по мнению авторов модели, к положению, в соответствии с которым каждый атом некристаллического вещества локально образует все присущие ему валентные связи, из-за чего и пропадает резкая граница плотности состояний в области краев подвижности. [41]

Описанные превращения могут быть рассмотрены и с точки зрения фазовых переходов. Выражение ( 3) тогда будет отражать процесс осуществления ряда фазовых переходов 1-го рода, протекающих в той или иной степени в зависимости от условий получения некристаллического вещества и его перехода в кристаллическое, например, при подъеме температуры. [42]

Для получения некристаллических веществ, состоящих из атомов одного элемента, широко используют метод осаждения на подложку при различных температурах. Температура подложки ( см. рис. 10), зависит, как правило, от числа ПМ осаждаемого элемента: чем выше это число, тем в меньшей степени нужно охлаждать подложку, тем более просто образуется некристаллическое вещество. С уменьшением числа модификаций необходимо все больше понижать температуру подложки. Элементы, находящиеся в районе Я /, получаются в некристаллической форме только при температуре подложки около 4 К. Для элементов, расположенных в районе У, вследствие изотропного характера взаимодействия атомов аморфное состояние не достигается. [43]

Химикаты считаются особо чистыми, если они представляют собой однородные, достаточно крупные и хорошо сформированные кристаллы. Загрязненные вещества не образуют кристаллов вообще или они получаются мелкие и неправильной формы. Конечно, это не означает, что каждое некристаллическое вещество загрязнено. А как раз самые большие и пре-крас. [44]

Ежегодно в периодической литературе появляются более пятисот публикаций, посвященных стеклообразным полупроводниковым материалам. Каждая из этих монографий по-своему интересна и полезна, но, как правило, посвящена одному или нескольким аспектам изучения СПС. В ряде случаев стеклообразные сплавы рассматривают вместе с некристаллическими веществами, не являющимися стеклообразными, и между этими двумя видами твердых веществ не проводят никакой границы, что создает терминологическую и смысловую путаницу. Для успешного развития дальнейших исследований и широкого внедрения стеклообразных сплавов в промышленное производство необходимы глубокий анализ и обобщение особенностей стеклообразного состояния, выявление четких отличий его от других, и в том числе некристаллических, разновидностей твердого состояния вещества, выявление связей его с генетически наиболее близким жидким состоянием в рамках более широкого понятия - конденсированного состояния вещества. [45]

Страницы: 1 2 3 4