Cтраница 1
Полупроводниковое вещество помещается в металлический защитный чехол, в котором имеются изолированные выводы для включения терморезистора в электрическую цепь. Некоторые терморезисторы не имеют специальной защитной оболочки, полупроводниковый материал в них лишь покрыт слоем лака. Изменение сопротивления терморезисторов при нагревании или охлаждении позволяет использовать их в приборах для измерения температуры, для поддержания постоянной температуры в автоматических устройствах - в закрытых камерах-термостатах. Опыты показывают, что электрическое сопротивление полупроводниковых кристаллов изменяется не только при их нагревании, но и при освещении. [1]
Полупроводниковые вещества значительно повышают свою электропроводность не только под действием излучения. Любая другая частица, попадающая в атом и отдающая при этом электрону всю свою энергию, в принципе способна перевести электрон в свободное состояние. И действительно, многочисленные, неоднократно повторенные опыты показали, что проводимость возникает и в том случае, когда поверхность вещества бомбардируется быстрыми электронами, а-частицами, протонами, дейто-нами и другими частицами. Понятно, что для этого энергия бомбардирующей частицы должна быть больше энергии перевода электрона в свободное состояние. [2]
Полупроводниковое вещество, в котором концентрации акцепторной и донорной примеси равны, называется скомпенсированным полупроводником. [3]
Полупроводниковое вещество, в котором концентрации акцепторной и донорной примеси равны, называют скомпенсированным полупроводником. [4]
Полупроводниковые вещества Изд-во Иностр. [5]
Полупроводниковые вещества, такие, как алмаз, кремний, германий, образуют кристаллы с атомной, или гомеополярной, связью. Такая связь возникает между одинаковыми или близкими по своим свойствам элементами в результате появления обменного эффекта. Обменные силы притяжения между атомами возникают в результате слияния внешних оболочек двух атомов в одну обобщенную оболочку. В такой оболочке электроны имеют спаренные спины и она более устойчива, чем две независимые орбиты. Поскольку в обменных взаимодействиях принимают участие только электроны незаполненной внешней оболочки, то атомную связь называют еще валентной или ковалентной. Она может быть такой же сильной, как и ионная связь, поэтому ионные и атомные кристаллы обладают близкими свойствами. [6]
Иногда полупроводниковое вещество поступает в лабораторию в порошкообразном виде, например теллур поставляется заводами в порошке. Вещество в виде порошка значительно легче, чем в слитке, окисляется и набирает влагу и газы. Прежде всего, из порошка необходимо удалить влагу, газы и окислы. Одним из простейших способов решения этой задачи является открытая переплавка. [7]
Класс полупроводниковых веществ обширен. В него входят сотня разнообразных материалов, элементов и химических соединении. Последние могут быть органическими или неорганическими. Полупроводниковое вещество может находиться в кристаллической или аморфной ( стеклообразной) форме, в твердом или жидком состоянии. [8]
![]() |
Кристаллическая решетка алмазного типа ( а, идеальная решетка собственного полупроводника, представленная в виде плоской модели ( б. [9] |
Электропроводность полупроводникового вещества вызывается не только электронами проводимости. [10]
У полупроводниковых веществ электроны, способные эмиттироваться, предварительно должны попасть в зону проводимости. [11]
![]() |
Кристаллическая решетка алмазного типа ( а, идеальная решетка собственного полупроводника, представленная в виде плоской модели ( б. [12] |
Электропроводность полупроводникового вещества вызывается не только электронами проводимости. [13]
У полупроводниковых веществ электроны, способные эмиттироваться, предварительно должны попасть в зону проводимости. [14]
Выделение полупроводниковых веществ в отдельные группы в соответствии с выбранными принципами позволяет проследить основные закономерности образования фаз, изменения их свойств и установить связь химического состава со свойствами этих веществ. Основой кристаллохимического сходства веществ является общность типа химической связи и ее закономерное изменение в зависимости от расположения элементов, составляющих соединение, в периодической системе. [15]