Полупроводниковое вещество

Cтраница 2

Значение полупроводниковых веществ существенно расширяется: в связи с изучением и применением за последние два десятилетия органических полупроводников. Одним из первых таких полупроводников является антрацен. [16]

Среди полупроводниковых веществ существуют двойные соединения с высокой подвижностью носителей тока. К ним принадлежит и селе-нид ртути. [17]

Выделение полупроводниковых веществ в отдельные группы в соответствии с выбранными принципами позволяет проследить основные закономерности образования фаз, изменения их свойств и установить связь химического состава со свойствами этих веществ. Основой кристаллохимического сходства веществ является общность типа химической связи и ее закономерное изменение в зависимости от расположения элементов, составляющих соединение, в периодической системе. [18]

Среди полупроводниковых веществ, используемых для создания ПКГ, наибольшее распространение получил арсенид галлия, отличающийся, с одной стороны, лучшей технологичностью и, с другой, более высокими генерационными характеристиками по сравнению с широким классом полупроводниковых веществ, пригодных для создания генераторов. [19]

Помимо металлических и полупроводниковых веществ имеется большая группа материалов, обладающих диэлектрическими свойствами, и по этой причине они не могут быть непосредственно проанализированы на масс-спектрометре с искровым ионным источником. К ним также относятся порошкообразные вещества высокой степени чистоты и разнообразные окислы тугоплавких металлов - исходные материалы для порошковой металлургии. Большой интерес представляет химический состав биологических объектов и анализ загрязнений в синтетических материалах, существенно ухудшающих их свойства. [20]

К полупроводниковым веществам с первым типом перехода твердое-жидкое относятся Bi2S3, Sb2S3, Cu2S3, CdTe, ZnTe и др. Эти химические соединения, за исключением Sb2S3, которое можно получить и в стеклообразном состоянии, являются полупроводниками кристаллическими. [21]

В любом полупроводниковом веществе отношение подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки может быть увеличено за счет введения нейтральных примесей. Эти примеси увеличивают эффективность рассеяния упругих волн, что ведет к уменьшению теплопроводности в кристалле. С другой стороны, эти нейтральные примеси не должны оказывать значительного действия на рассеяние основных носителей. Роль нейтральных примесей может играть ряд изоморфных соединений, образующих с основным веществом термоэлемента твердые растворы. [22]

В сильно легированных полупроводниковых веществах n - типа со структурой алмаза и сфалерита наблюдается несоответствие между концентрациями донорной добавки и свободных электронов: концентрация первой превышает концентрацию вторых. [23]

Теллур - полупроводниковое вещество, тип электропроводности которого изменяется при изменении температуры и проявляет кристаллографическую анизотропию. При комнатной температуре удельное сопротивление чистого теллура составляет несколько десятых Ом - см. При повышении температуры в теллуре наблюдается инверсия эффекта Холла. [24]

Теллур - полупроводниковое вещество, тип электропроводности которого изменяется при изменении температуры, и проявляет кристаллографическую анизотропию. При комнатной температуре удельное сопротивление чистого теллура составляет несколько десятых ом см. При повышении температуры в теллуре наблюдается инверсия эффекта Холла. [25]

Фнзпко-химнческие свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Пол 1 рел. [26]

В технологии полупроводниковых веществ применяются водород и аргон высокой чистоты; первый из них используется для получения летучих соединений кремния и германия, а также наряду с аргоном в качестве буферной атмосферы при вытягивании слитков и очистке их от посторонних примесей. Названные газы прежде всего тщательно очищаются от загрязнений, и поэтому необходимо иметь аналитические методы контроля содержания примесей как в исходных, так и в конечных продуктах. [27]

Химическое своеобразие полупроводниковых веществ, и в особенности алмазоподобных полупроводников, как можно было об этом судить уже в начале исследований, определяется наличием выраженной ковалентной связи между атомами и особенностями этого вида электронного взаимодействия. Но неорганические простые вещества и соединения с ковалентной связью раньше сравнительно мало изучались с химической стороны. [28]

Зависимость степени ионности от разности электро-отрйцательностей. [29]

Поскольку для полупроводниковых веществ доминирующей межатомной связью является ковалентная связь ( гомеополярная и полярная), остановимся вкратце на современной квантовохимической трактовке ее природы. [30]

Страницы: 1 2 3 4