Cтраница 1
![]() |
Анодные характеристики тетрода ( - - - - - - - - - - - - - - расчетные, - - - - - - - - - - реальные. [1] |
Густая экранирующая сетка в значительной степени ослабляет проникновение силовых линий от анода в область отрицательного объемного заряда у катода. [2]
![]() |
Примеры конструкций внутриламповых экранов. [3] |
Необходимость применения густых экранирующих сеток приводит к уменьшению коэффициента токораспределения у высокочастотных ламп. [4]
![]() |
Управляющие характеристики обычного пентода ( / и пентода с переменной крутизной ( 2. [5] |
Уменьшение проходной емкости в этих лампах достигается применением густой экранирующей сетки и хорошей экранировкой выводов от анода и управляющей сетки. [6]
В каких пентодах, низкочастотных или высокочастотных, применяется более густая экранирующая сетка. [7]
В каких пентодах, низкочастотных или высокочастотных, применяется более густая экранирующая сетка. [8]
Из этого выражения следует, что в лампах с густой экранирующей сеткой статический коэффициент усиления ц определяется в основном процессами токораспределения. [9]
Соотношение (10.11) позволяет пояснить зависимость внутреннего сопротивления пентода, имеющего густую экранирующую сетку, от напряжений анода, управляющей и экранирующей сеток. [10]
![]() |
Замена тетрода 3Десь 2 - проницаемость экрани. [11] |
Проницаемость управляющей сетки D1 обычно равна СОТЫМ долям; проницаемость D2 более густой экранирующей сетки еще меньше. [12]
Высокочастотные пентоды, предназначенные для работы в схемах усиления напряжения высокой частоты, делаются с очень густой экранирующей сеткой, с которой соединяются сплошные металлические экранирующие манжеты. [13]
Пентоды, удовлетворяющие перечисленным требованиям, называют узкополосными. Они имеют густую экранирующую сетку и дополнительные экраны, уменьшающие емкость между выводами. Крутизна характеристики составляет не менее 5 - 8 мА / В, что. [14]
Таким образом, вполне допустимо при расчете катодного тока или крутизны по катодному току рассматривать вместо всего пентода только первый эквивалентный триод с анодом на месте экранирующей сетки. Этот результат справедлив для любых высокочастотных пентодов, так как в них применяется густая экранирующая сетка с целью уменьшения проходной емкости анод - управляющая сетка. [15]