Cтраница 2
Входную емкость образуют емкости Coin, CC1C2 и СС1СЗ между управляющей сеткой и электродами, заземленными по переменному току: катодом, экранирующей сеткой и защитной сеткой, соединенной с катодом. Емкость СС1СЗ обычно много меньше двух других емкостей, так как управляющая сетка экранирована от защитной сетки расположенной между ними достаточно густой экранирующей сеткой. [16]
![]() |
Междуэлектродные емкости тетрода. [17] |
Если экранирующая сетка не сплошная, то ее влияние окажется неполным и изменение потенциала анода будет в некоторой степени влиять на ток в цепи сетки. Это влияние уменьшается с увеличением густоты сетки. При густых экранирующих сетках емкость Сас, получается очень малой - порядка нескольких сотых или тысячных долей пикофарады. [18]
В пентодах для высоких частот экранирующую сетку делают более густой. Вследствие этого они имеют коэффициент усиления до нескольких тысяч, внутреннее сопротивление до нескольких мегом и малую емкость анод - сетка. Пентоды для низких частот имеют не такую густую экранирующую сетку. Коэффициент усиления и внутреннее сопротивление у них меньше и емкость анод - сетка не снижается так значительно. [19]
Анодное напряжение входит в выражение для действующего напряжения t / ai умноженным на произведение DDiD2D3, характеризующее общую проницаемость сеток пентода и являющееся малой величиной. Поэтому влияние анодного напряжения на действующее напряжение / дЬ а следовательно, и на катодный ток в пентоде незначительно. Также несущественным является влияние на катодный ток напряжения защитной сетки, поскольку проницаемость густой экранирующей сетки D2 мала и поле защитной сетки у катода близко к нулю. [20]
Но на поверхности минимума потенциала в лучевом тетроде потенциал повсюду одинаков, и электроны, как видно из рис. 380, приходят к этой поверхности по мало отличающимся направлениям. Условия для поворота электронов перед анодом наступают поэтому для всех электронов почти при одном и том же Uz, чем и создается крутой перелом анодной характеристики. Согласование намоток управляющей и экранирующей сеток практически применимо только в низкочастотных усилительных и генераторных тетродах, где экранирующая сетка может быть относительно не густой. Для усиления высокочастотных сигналов требуется густая экранирующая сетка, и тогда трудно добиться хорошего согласования намоток. [21]
Важную роль в работе лампы играет емкость CACI между анодом и управляющей сеткой, т.е. между входной и выходной цепями лампы. В многоэлектродных лампах, как уже указывалось, значение этой емкости уменьшено до сотых или тысячных долей пикофарады. Не менее существенное влияние на работу лампы оказывают емкости, шунтирующие входную ( управляющая сетка - катод) и выходную ( анод-катод) цепи. Эти емкости, складывающиеся из нескольких междуэлектродных емкостей каждая, называются соответственно входной и выходной емкостями лампы. Входную емкость образуют емкости CCIK, Ccic2 и Сею между управляющей сеткой и электродами, заземленными по переменному току: катодом, экранирующей сеткой и защитной сеткой, соединенной с катодом. Емкость Сею обычно много меньше двух других емкостей, так как управляющая сетка экранирована от защитной достаточно густой экранирующей сеткой, расположенной между ними, поэтому для входной емкости можно записать СВК CCIK 4 - Cc ci Сответственно выходную емкость лампы составляют следующие емкости: СВЫХ. Обычно междуэлектродные емкости определяют как сумму, состоящую из емкости, образованной выводами от этих электродов. [22]