Сечение - потенциальная поверхность
Cтраница 1
Сечения потенциальных поверхностей в двух электронных состояниях линейной молекулы XY2, объясняющие происхождение непрерывного спектра поглощения. Предполагается, что обе потенциальные поверхности являются поверхностями типа, представленного на фиг. [1]
Если в каком-нибудь из сечений потенциальной поверхности возможно существование двух или более минимумов, то тогда к выражению (8.14) следует прибавить определенные потенциалы, изображающие зависимость поверхности от изменения соответствующей внутренней координаты. [2]
В рамках РМХ были получены сечения потенциальной поверхности для сближения протона с молекулой 1 3-диоксола-на. В предположении о неизменной геометрии атакуемой молекулы, взятой в конформации С2 - коиверта, полученные сечения говорят о возможности симметричного протонирования одновременно обоих атомов кислорода протоном, находящимся в плоскости симметрии молекулы. [3]
В рамках РМХ были получены сечения потенциальной поверхности для сближения протона с молекулой 1 3-диоксола-на. [4]
 |
Сечение поверхности потенциальной энергии вдоль линии X const ( 50. [5] |
Кривая V ( г) есть сечение потенциальной поверхности параллельно оси г. В качестве V ( r) авторы берут функцию Морзе. Разумеется, такой выбор представляет собой довольно грубое приближение, однако, это мало влияет на величину константы скорости. [6]
Интервал Дх или dx, как указывалось выше, образуется сечением потенциальной поверхности двумя параллельными плоскостями, перпендикулярными к плоскости координаты реакции. [7]
 |
Энергетическая кривая Морзе для двухатомной молекулы. [8] |
Аналогом кривой, показанной на рис. 4.6, в многоатомных молекулах является сечение многомерной потенциальной поверхности вдоль координаты, отвечающей расстоянию выбранного атома от другого, с которым выбранный атом связан химически. [9]
Потенциальная кривая с двумя минимумами, о которой шла речь в предыдущих разделах, монет быть получена сечением потенциальной поверхности плоскостью Я / 1 1л в const. [10]
Равновесные конфигурации для электронных состояний, взаимно вырожденных при некоторой высокосимметричной пространственной конфигурации, отличны от этой конфигурации. Сечения потенциальных поверхностей для двух электронных состояний, вырожденных при некоторой высокосимметричной конфигурации ядер, не имеют минимумов при этой конфигурации. [12]
 |
Потенциальная функция внутреннего вращения в молекуле этана. [13] |
Устойчивой структурой, отвечающей минимуму ГШЭ, является заторможенная конформация I, которая трехкратно вырождена. Конформационные переходы между вырожденными изомерами ( то-померами) 1а 16 ji IB связаны с прохождением через неустойчивые заслоненные конформации II ( группа симметрии Z3 /), служащие переходными состояниями. На рис. 12.1 показано сечение потенциальной поверхности молекулы этана вдоль координаты, характеризуемой углом вращения ц вокруг связи С-С. Барьеры вращения вокруг ординарных ( простых) связей обычно очень малы. [14]
 |
Потенциальная функция внутреннего вращения в молекуле этана. [15] |
Страницы: 1 2