Сечение - неупругое рассеяние
Cтраница 2
Мы видим, таким образом, что если Е С 6 и Т С1 6, то однофононные процессы дают первый член в разложении сечения неупругого рассеяния в ряд по степеням энергии нейтрона. [16]
Согласно его данным, сечения неупругого рассеяния, рассчитанные по аддитивной схеме, оказались значительно меньше я-электронных сечений, полученных в приближении металлической модели л-электронов. В дальнейшем гипотеза селективного поглощения энергии я-электронами была поддержана и развита Лэмбор-ном и Своллоу [5] и Матсузавой [6], которые объясняли многочисленнные примеры радиационной защиты ароматическими добавками без привлечения понятия переноса энергии, но при допущении большей вероятности поглощения энергии я-электронами системы. [17]
С ростом энергии нейтронов сечение радиационного захвата падает, а число возбужденных состояний увеличивается. При 1 МэВ и выше сечение неупругого рассеяния ( гг, гг7) быстро растет. Реакции с образованием заряженных частиц типа ( гг, р), ( гг, а) идут для нейтронов с энергией выше 0 5 МэВ, т.к. заряженной частице необходимо преодолеть кулоновский барьер. [18]
 |
Спектр нейтронов, деформированный с помощью кадмиевого и индиевого фильтров различной толщины.| Спектр нейтронов, фильтрованный поликристаллп-ческим бериллием. [19] |
Для ряда материалов ( Be, ВеО, графит, Bi и др.) сечение когерентного рассеяния значительно больше, чем сечения трех последних процессов. Охлаждение, например, Ве-фильтра до темп-ры - 80 К приводит к уменьшению сечения неупругого рассеяния в - 10 раз. [20]
На каждый акт деления ядра U238 возникает в среднем около 2 6 нейтронов деления. Сечение деления ядра U238 порядка 0 5 барн ( для нейтронов спектра деления), сечение неупругого рассеяния составляет несколько барн. Имея в виду, что по крайней мере половина возникающих нейтронов обладает энергией ниже порога деления ядер U238, показать невозможность самоподдерживающейся цепной реакции в среде, состоящей из данных ядер. [21]
Сечение неупругого рассеяния тоже зависит от атомного номера ядра и энергии нейтронов. Оно возрастает при переходе от легких ядер к тяжелым и с ростом энергии нейтронов. При этом сечение неупругого рассеяния меняется не очень сильно - в пределах 0 6 - 3 барн. [22]
Различным каналам соответствуют различные эффективные сечения. Среди этих сечений особую роль играет сечение упругого рассеяния аупр, при котором ни налетающая частица, ни мишень не претерпевают никаких изменений. Сумма анеупр сечений реакции по всем открытым неупругим каналам носит название сечения неупругого рассеяния. Сумма а / аупр онеупр называется полным сечением. [23]
Различным каналам соответствуют различные эффективные сечения. Среди этих сечений особую роль играет сечение упругого рассеяния оупр, при котором ни налетающая частица, ни мишень не претерпевают никаких изменений. Сумма онеупр сечений реакции по всем открытым неупругим каналам носит название сечения неупругого рассеяния. Сумма а / аупр - f анеупр называется полным сечением. [24]
Движение электронов в слабоионизованном газе определяет его электрические параметры и поэтому представляет практический интерес. Поведение электронов в газе обусловлено влиянием внешних полей, а также столкновением электронов с частицами газа. Учет этих факторов позволяет в конкретных случаях, которые будут рассмотрены в представленных задачах, определить функцию распределения электронов по энергиям. Кроме того, при решении кинетического уравнения может быть использован тот факт, что сечение упругого соударения электронов с частицами газа всегда много больше сечения неупругого рассеяния. [25]
Рассмотрим теперь количественные аспекты метода МПА с помощью гипотетического эксперимента. Предположим, что в поле камеры МПА-установки между двумя заряженными пластинами вносится небольшой микрокристалл. Частица, несущая соответствующий положительный или отрицательный избыточный заряд, тормозится и повисает в электрическом поле. Взвешенная частица освещается светом, вызывающим фотоэмиссию. Это приводит к изменению зарядового состояния частицы, что создает необходимость изменения напряженности поля между пластинами для поддержания равновесия. Эмитированные электроны, сталкиваясь с молекулами газа, заполняющего камеру, интенсивно рассеиваются. В большинстве случаев используется азот, упругое рассеяние на молекулах которого для кинетических энергий электронов меньше 1эВ, типичных для этих экспериментов, намного превосходит сечение неупругого рассеяния. Этот процесс был подробно рассмотрен Онзагером [52] и детально обсуждается в разд. Однако необходимо отметить, что имеется существенное различие между случаем нейтральной молекулы в конденсированной фазе, рассмотренным Онзагером, и процессом в кристаллите. При ионизации у молекулы появляется положительный заряд, равный по величине заряду электрона, в то время как у микрокристалла до эмиссии электрона уже имеется большой заряд. Более того, заряд кристаллита может быть отрицательным и, следовательно, эмитируемый электрон отталкивается от него. В этом случае электрон, эмитированный из отрицательно заряженной частицы, будет вести себя так же, как при эмиссии в вакуум, а процесс будет подчиняться пороговому соотношению, справедливому для большинства молекулярных кристаллов ( см. разд. [26]
Страницы: 1 2