Cтраница 5
Фактор шероховатости поверхности вещества R, влияющий в основном на низкоэнергетические линии фотоэлектронов, в целом для метода РЭС менее важен, чем для метода ЭОС. Сечение фотоионизации Х - уровня атома, определяющее как абсолютную, так и относительную интенсивность линий РЭ-спектра, зависит от энергии рентгеновского излучения, энергии ионизации атомного уровня, электронной плотности на данном уровне и порядкового номера Z атомов анализируемого элемента. Отметим, что, во-первых, с увеличением энергии фотонов выше значения энергии ионизации данного уровня атома сечение фотоионизации Фф ( йг / 5с) монотонно уменьшается; во-вторых, сечение фотоионизации возрастает - Z4, что позволяет анализировать методом РЭС тяжелые элементы при относительно малых концентрациях в пробе; в-третьих, как показали экспериментальные и теоретические результаты, сечение фотоионизации обычно меньше, чем сечение ионизации электронной бомбардировкой. Зависимость сечения фотоионизации от энергии фотонов позволяет более подробно исследовать эффекты взаимодействия при образовании химических связей между атомами. Поскольку энергетическая зависимость сечения фотоионизации данной электронной орбитали в молекуле зависит от характера орбитали, особенности данной орбитали могут быть найдены из анализа отношения сечений фотоионизации при различных энергиях фотонов. [61]
Фактор шероховатости поверхности вещества R, влияющий в основном на низкоэнергетические линии фотоэлектронов, в целом для метода РЭС менее важен, чем для метода ЭОС. Сечение фотоионизации Х - уровня атома, определяющее как абсолютную, так и относительную интенсивность линий РЭ-спектра, зависит от энергии рентгеновского излучения, энергии ионизации атомного уровня, электронной плотности на данном уровне и порядкового номера Z атомов анализируемого элемента. Отметим, что, во-первых, с увеличением энергии фотонов выше значения энергии ионизации данного уровня атома сечение фотоионизации Фф ( йг / 5с) монотонно уменьшается; во-вторых, сечение фотоионизации возрастает - Z4, что позволяет анализировать методом РЭС тяжелые элементы при относительно малых концентрациях в пробе; в-третьих, как показали экспериментальные и теоретические результаты, сечение фотоионизации обычно меньше, чем сечение ионизации электронной бомбардировкой. Зависимость сечения фотоионизации от энергии фотонов позволяет более подробно исследовать эффекты взаимодействия при образовании химических связей между атомами. Поскольку энергетическая зависимость сечения фотоионизации данной электронной орбитали в молекуле зависит от характера орбитали, особенности данной орбитали могут быть найдены из анализа отношения сечений фотоионизации при различных энергиях фотонов. [62]
Фактор шероховатости поверхности вещества R, влияющий в основном на низкоэнергетические линии фотоэлектронов, в целом для метода РЭС менее важен, чем для метода ЭОС. Сечение фотоионизации Х - уровня атома, определяющее как абсолютную, так и относительную интенсивность линий РЭ-спектра, зависит от энергии рентгеновского излучения, энергии ионизации атомного уровня, электронной плотности на данном уровне и порядкового номера Z атомов анализируемого элемента. Отметим, что, во-первых, с увеличением энергии фотонов выше значения энергии ионизации данного уровня атома сечение фотоионизации Фф ( йг / 5с) монотонно уменьшается; во-вторых, сечение фотоионизации возрастает - Z4, что позволяет анализировать методом РЭС тяжелые элементы при относительно малых концентрациях в пробе; в-третьих, как показали экспериментальные и теоретические результаты, сечение фотоионизации обычно меньше, чем сечение ионизации электронной бомбардировкой. Зависимость сечения фотоионизации от энергии фотонов позволяет более подробно исследовать эффекты взаимодействия при образовании химических связей между атомами. Поскольку энергетическая зависимость сечения фотоионизации данной электронной орбитали в молекуле зависит от характера орбитали, особенности данной орбитали могут быть найдены из анализа отношения сечений фотоионизации при различных энергиях фотонов. [63]