Сжатие - кристалл
Cтраница 1
 |
Возникновение пьезо-э. д. с. при сжатии элементарной ячейки кварца.| Структура электроакустического усилителя на объемных волнах. [1] |
Сжатие кристалла в вертикальном направлении ( рис. 10.9, б) приводит к смещению положительных: ионов вниз, а отрицательных вверх. Соответственно, на наружных электродах появляется разность потенциалов. Рассмотренное явление называют прямым пьезоэлектрическим эффектом. Если же к пье-зокристаллу приложить переменное напряжение, то в нем возбуждаются механические колебания определенной частоты, зависящей от размеров кристалла. [2]
 |
Возникновение пьезо - [ IMAGE ] Структура электроаку-э. д. с. при сжатии элементар - стического усилителя на объемной ячейки кварца ных волнах. [3] |
Сжатие кристалла в вертикальном направлении приводит к смещению положительных ионов вниз, а отрицательных вверх. Соответственно, на наружных электродах появляется разность потенциалов. При сжатии в горизонтальном направлении знак напряжения меняется. [4]
При сжатии кристалла поляризационная энергия Р увеличивается, что приводит к изменению энергии активации. Изменение Р может быть вычислено из следующей простой модели. [5]
 |
Изменение показателя прочности порошка синтетического и природного алмазов после термообработки при температуре 1473 К.| Типы раскрытия трещины. [6] |
При сжатии кристаллов алмазов в условиях невысоких температур ( Т 0ЗГПЛ) происходит их хрупкое разрушение. Отличия экспериментально определенных значений хрупкой прочности от ее теоретически достижимой величины весьма значительны. Разброс экспериментальных данных обусловлен влиянием объемно-напряженного состояния, концентраторов напряжений, дефектов структуры. [7]
 |
Схема построения структуры кристалла из элементарных ячеек [ IMAGE ] Схема, поясняющая причину анизотропии кристалла. [8] |
При нагревании графита до 430 С происходит сжатие кристалла по направлению, параллельному слоям, а при более высоких температурах - расширение. При нагревании кристалл расширяется по направлению, перпендикулярному слоям, причем в 20 раз сильнее, чем в направлении слоев. [9]
Ето можно получить, зная изотермический коэффициент сжатии кристалла; в дацной задаче используется это соотношение. [10]
Представляется очевидным, что всестороннее ( равномерное) сжатие кристалла не должво приводить к появлению силы f; выражение ( 28 7) этим свойством обладает. [11]
Представляется очевидным, что всестороннее ( равномерное) сжатие кристалла не должно приводить к появлению силы f; выражение (28.7) этим свойством обладает. [12]
Представляется очевидным, что всестороннее ( равномерное) сжатие кристалла не должно приводить к появлению силы f; выражение ( 28 7) этим свойством обладает. [13]
Мы безусловно вправе представить себе мысленно растяжение и сжатие кристалла, для которого это справедливо, вне зависимости от того. Мы знаем, что наиболее устойчивое состояние кристалла должно быть устойчиво по отношению изменений, при которых относительные положения остаются теми же самыми, так же как и по отношению всех других, и поэтому наши рассуждения дают условие, необходимое для состояния равновесия. [14]
Остаточная деформация возникает во всех случаях растяжения и сжатия пластичных кристаллов, если напряжения в них превышают предел текучести. Однако причиной появления этой деформации не могут служить ни растяжение, ни сжатие сами по себе. [15]
Страницы: 1 2 3 4