Cтраница 2
Взаимодействие атома с электроном или другой частицей, в результате которого часть кинетической энергии частиц превращается в энергию возбуждения атома, называют неупругим столкновением. [16]
Взаимодействие атомов С, принадлежащих к соседним слоям, уже значительно слабее, чем связь С-С в каждом данном слое. Отдельные слои связаны между собой уже не ко-валентно, а образуют единый кристалл графита за счет более слабых сил, характерных для межмолекулярных связей. [17]
Модель электронной оболочки атома углерода в состоянии 5р2 - гибридизации.| Модель электронной оболочки. [18] |
Взаимодействие атомов, сопровождающееся перестройкой их электронных оболочек, может привести к возникновению химической связи, которая обусловливает образование молекулы. [19]
Взаимодействие атомов, обусловленное перекрытием электронных оболочек, было изучено впервые Гордоном и Кимом [3] на примере инертных газов. При больших значениях d имеется слабо выраженный минимум. Именно такая зависимость была получена Гордоном и Кимом [3] для инертных газов. Заметим, что шкала на оси ординат нанесена в миллйэлектрон-вольтах, так что эта часть кривой на рис. 7.1 лежала бы где-то в пределах толщины линии. [21]
Взаимодействия атомов и молекул с поверхностями твердых тел в рамках молекулярных моделей принято подразделять на два типа. Полуэмпирический подход к расчету взаимодействий адсорбент-адсорбат основан на методе атом-атомных потенциалов, согласно которому энергия межмолекулярного взаимодействия представляется в виде суммы энергий парных взаимодействий атомов, а параметры атом-атомных потенциалов определяют исходя из опытных данных. Другой тип взаимодействия атомов и молекул с поверхностями твердых тел представляет хемосорбция. В этом случае происходит перераспределение заряда в системе и образуется химическая связь между поверхностью и субстратом. [22]
Взаимодействие атома с электроном или другой частицей, в результате которого часть кинетической энергии частицы превращается в энергию возбуждения атома, называется неупругим столкновением. [23]
Расщепление энергетических уровней и образование энергетических зон в кристалле ( а. характер дисперсионных кривых для электронов в кристалле ( б. [24] |
Взаимодействие атомов при образовании кристаллической решетки приводит к еще одному важному результату - к превращению энергетических уровней свободных атомов в энергетические зоны кристалла. В самом деле, в системе, состоящей из N изолированных атомов, каждый невырожденный в атоме уровень, например уровень 3s, повторяется N раз. Соответствующие этому уровню волновые функции aj) 3s описывают, таким образом, W-кратно вырожденное состояние системы. При сближении атомов и образовании из них кристалла между ними возникает сильное взаимодействие, которое снимает вырождение и приводит к расщеплению Л / - кратно вырожденного уровня и образованию из него энергетической зоны, содержащей Af состояний. [25]
Разрешенные орбиты электрона в атоме водорода.| Энергетические уровни атома водорода. [26] |
Взаимодействие атомов в решетке приводит к тому, что их энергетические уровни расщепляются на большое количество почти сливающихся подуровней, образующих энергетические зоны. [27]
Число симметрии ч для различных точечных групп симметрии. [28] |
Взаимодействие атомов, приводящее к образованию молекул простых и сложных веществ, а также кристаллов, называют химической связью. Взаимодействие атомов многообразно, поэтому многообразны и химические связи, которые часто сводят к нескольким основным типам-ковалентной, ионной, донорно-акцепторной, водородной связи и др. Однако все эти взаимодействия можно описать с позиций единой теории химической связи. [29]
Возможная классификация типов вторичного свечения в зависимости. [30] |