Cтраница 4
Эти соединения, например MeCl2SiSiCl2Me, могут, в свою очередь, служить исходным материалом в последующих синтезах. Так, при взаимодействии кремния с хлором получают до 35 % гексахлордисилана наряду с основным продуктом - тетрахлорсиланом. Подобные реакции можно вести постадийно, например по схеме ( 752), если необходимо получать несимметричные дисиланы. [46]
Однако экспериментальные результаты были несколько неустойчивыми, вероятно, из-за улетучивания нитрида Si3N4, обладающего волокнистым строением. Авторы постулировали, что взаимодействие кремния с азотом осуществляется в результате диффузии молекулярного азота внутрь через изъяны в окалине. [47]
Кремнезем также является нежелательной примесью, поскольку, при наличии избытка углерода, SiOz восстанавливается до металла, образующего ферросилиций. Последний получается в результате взаимодействия кремния с примесью железа, всегда содержащегося в том или ином количестве и в извести, и в коксе. Ферросилиций скопляется на подине печи, загрязняя карбид. Наличие мелких зерен его в карбиде, ввиду твердости ферросилиция, приводит к порче дробильных устройств, применяемых для размола карбила, и заставляет вводить в схему производства специальные сепараторы для отделения ферросилиция. [48]
Галогенсиланы, в особенности хлорсиланы - исходные вещества почти для всей кремнийорганической химии. Тетрахлорсилан ( 15) получают взаимодействием кремния и хлора или из SiOg, угля и хлора. Хотя затраты энергии для этого синтеза велики, все ингредиенты доступны и дешевы. Благодаря легкости замещения у атома кремния ( см. обобщение 1) тетрахлорсилан служит удобным исходным веществом для получения разнообразных галогенсиланов. [49]
Галогенсиланы, в особенности хлорсиланы - исходные вещества почти для всей кремнийорганической химии. Тетрахлорснлан ( 15) получают взаимодействием кремния и хлора или из Si02, угля и хлора. Хотя затраты энергии для этого синтеза велики, все ингредиенты доступны и дешевы. Благодаря легкости замещения у атома кремния ( см. обобщение 1) тетрахлорсилан служит удобным исходным веществом для получения разнообразных галогенсиланов. [50]
![]() |
Изотермы скорости реакции образования нитридной пленки. [51] |
Такой случай является тривиальным. Он наблюдается, например, при взаимодействии кремния с кислородом с образованием оксидной пленки. [52]
Третий тип взаимодействия характеризуется отсутствием условий для обмена электронами между атомами простых веществ и углеродом, например в случае подгрупп меди и цинка, металлы которых являются слабыми донорами электронов ( из-за сильной локализации в гибридные 1052-конфигурации), причем их валентные электроны по указанным выше причинам не склонны к - переходам, а напротив, начиная с пятого периода, - к переходам на глубокие, экранированные / - состояния. К данному типу взаимодействия следует отнести и взаимодействие кремния с углеродом. Разность электроотрицательности таких веществ очень мала. [53]