Взаимодействие - носитель
Cтраница 1
 |
Зонная структура арсенида галлия ( а и антимонида индия ( б. [1] |
Взаимодействие носителей с атомами решетки ( d & E / dT) a в основном сдвигает энергетическую зону при низких температурах ( во Т 0), а тепловое расширение ( d & E / dT) a может изменить и кривизну зон. [2]
Взаимодействие носителей с колеблющейся кристаллической решеткой описывают как взаимодействие с некоторыми квантовыми частицами - фононами, которым соответствует квант энергии, определяемый частотой колебаний кристаллической решетки. В полупроводнике имеются акустические и оптические фононы. [3]
Отражая характер взаимодействия носителей тока с частицами, образующими кристаллическую решетку полупроводника, подвижность вместе с тем является в ряде случаев важным критерием при оценке свойств того или иного полупроводникового вещества. Из теории полупроводников известно, что, двигаясь направленно в совершенно чистом, беспримесном полупроводниковом кристалле при температуре, равной абсолютному нулю, электроны не встречают никакого сопротивления. Однако на практике не существует веществ со строго идеальной кристаллической решеткой. Тепловое движение создает флуктуации плотности и периодического электрического поля внутри кристалла. Чужеродные атомы примесей или избыточные атомы, а также всевозможные включения приводят к локальным искажениям решетки. Все это обусловливает на пути направленного перемещения электронов в теле препятствия, которые внешне проявляются в том, что вещество обладает электрическим сопротивлением. Таким образом, подвижность носителей тока в каждом полупроводниковом веществе ( в определенных границах величин внешнего электрического поля) имеет не беспредельно большое значение, а конечное. [4]
Отметим, что взаимодействие носителя с полярным веществом в большинстве случаев обусловлено образованием водородной связи с поверхностными гидроксильными группами носителя. Введенная добавка, блокируя такой активный центр, препятствует взаимодействию его с компонентом разделяемой смеси. [5]
 |
Зависимость дрейфовой скорости от электрического поля для электронов и дырок. [6] |
Вклад в термализацию вносят взаимодействия носителей друг с другом и их взаимодействия с фононами. Взаимодействие носителей друг с другом сильно зависит от их концентрации. [7]
Нагревание током проводника обусловлено взаимодействием носителей тока со встречными атомами или ионами вещества. В результате этого взаимодействия внутренняя энергия проводника возрастает и он нагревается. Нагретый проводник отдает полученную энергию окружающей среде. Эта энергия и представляет собой то количество теплоты, которое определяется по закону Джоуля - Ленца. [8]
 |
Схема получения эдс Холла. х. [9] |
Электродвижущая сила Холла возникает вследствие взаимодействия носителей ( электронов, ионов) тока с магнитным полем. [10]
Легко видеть, что и в случае расчета величин ВЭТТ пренебрежение взаимодействием носителя с растворителем приведет к ошибочным результатам. [11]
Для 90-градусной доменной стенки, как мы видели в разделе 2.2, взаимодействие заряженных носителей с доменной стенкой осуществляется не только через аналогичное рассмотренному искажение ее профиля, но и через взаимодействие с внутренним электрическим полем, существующим в такой границе. [12]
Помимо теплопроводности и конвекции, перенос энергии может осуществляться путем излучения и взаимодействия носителей энергии излучения с частицами вещества среды. Такой вид переноса энергии отвечает излучению, или радиации, фотонов, эмиссии электронов, нейтронов и других частиц. [13]
Если же число свободных носителей в чистом кристалле невелико, то при взаимодействии носителей, введенных примесью с точечными дефектами, выделяется энергия, которая может скомпенсировать энергию, затрачиваемую на образование точечных дефектов. Иными словами, если энергия образования дефектов мала по сравнению с их энергией ионизации, то все свободные носители, создаваемые примесью, будут компенсироваться в результате образования ионизированных дефектов, и кристалл при всех равновесных условиях будет изолятором. Поэтому эффект компенсации электрически активных примесей ионизированными точечными дефектами должен проявляться в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны, в которых число свободных носителей мало, даже при высоких температурах, при которых примесь вводится в кристалл. [14]
После того как была написана данная глава, появилось несколько работ, рассматривающих взаимодействие носителя, жидкой фазы и производных. Без детального понимания этих взаимодействий невозможно разработать стандартную методику покрытия колонок, приводящую к абсолютно воспроизводимым хроматограммам. [15]
Страницы: 1 2 3 4