Взаимодействие - носитель
Cтраница 3
Пропорциональность скорости приложенной к телу силе наблюдается в тех случаях, когда кроме силы, вызвавшей движение, на тело действует сила сопротивления среды. Эта сила вызывается взаимодействием носителей тока с частицами, из которых построено вещество проводника. Наличие силы сопротивления упорядоченному движению носителей тока обусловливает электрическое сопротивление проводника. [31]
Величина неравновесных изменений функции распределения ( а следовательно, и величина термоэлектрических эффектов) зависит от относительной величины факторов ( поле, термическая неоднородность), вызывающих отклонение от равновесия, и механизма, способствующего его восстановлению. Этот последний обусловлен взаимодействием носителей тока с колебаниями решетки кристалла, по которому они движутся. [32]
Интерес к термомагнитным эффектам обусловлен тем, что их величина, знак и зависимость от температуры определяются энергетическим спектром полупроводника и механизмом рассеяния носителей тока. Термомагнитные эффекты очень чувствительны к характеру взаимодействия носителей тока с кристаллической решеткой. [33]
Какие условия определяют, является ли распределение носителей равновесным или нет. Ответ зависит от отношения времен, характеризующих взаимодействие носителей между собой и их взаимодействие с решеткой, ко времени жизни носителя. [34]
 |
Температурная зависимость вклада различных фонон-ных мод в поглощение звука в германии. [35] |
Оценки времен релаксации показывают, что наблюдаемое увеличение поглощения не может быть объяснено только электронной релаксацией. По-видимому, этот эффект связан также с влиянием взаимодействия носителей тока с колебаниями решетки на ее энгармонизм. Оценки, проведенные с использованием данных по влиянию легировании на упругие постоянные 3-го порядка, дают правильную анизотропию эффекта, но ждать от них количественного согласия не приходится, так как поглощение определяется высокочастотными модами. [36]
Для внутризонного и внутридолинного рассеяния свободных носителей заряда, помимо рассеяния не статических и динамических несовершенствах решетки, необходимо учитывать рассеяния их друг на друге. Несмотря на то, что введение самосогласованного поля учитывает взаимодействие носителей друг с другом и полный квазиимпульс системы сохраняется, электрон-электронное взаимодействие, например, уменьшает подвижность носителей за счет перераспределения энергии и квазиимпульса между электронами: быстрые электроны получают меньший импульс, чем медленные. [37]
В последние годы появилось значительное число монографий, в которых подробно рассмотрены физические основы магнитной записи. Имеется много публикаций, касающихся вопросов исследования магнитной системы записи, взаимодействия носителей записи с аппаратурой. Более того, в достаточной степени освещены физико-механические свойства и рабочие характеристики магнитных лент. [38]
Теоретическая кривая соответствует выражению (7.12) для Т 373 К, что выше комнатной температуры, вследствие учета нагревания маленького образца лазерным лучем. В образцах, находящихся под действием интенсивного возбуждения, электрон-электронные и дырка-дырочные взаимодействия могут стать сильнее взаимодействий носителей с фононами. В таких случаях ситуация, когда электроны и дырки достигают значительно более высокой температуры, чем температура решетки, оказывается вполне обычной. Фотолюминесценция является одним из немногих методов, с помощью которых можно непосредственно измерять температуру носителей. [40]
В большинстве теоретических моделей 1 / / - флуктуации в МОП-транзисторах данный вид шума рассматривается как поверхностный эффект, хотя детали его поведения все еще остаются непонятными. В одной из последний подобных моделей [65], которая включает в себя ряд особенностей предыдущих теорий, рассматривается взаимодействие носителей в канале с поверхностными состояниями на границе раздела полупроводник-окисел. При этом постулируется, что имеет место дополнительное взаимодействие посредством тун-елирования между носителями на этих поверхностных состояниях и ловушками в слое окисла. Этот механизм приводит к модуляции числа свободных носителей в канале и, кроме того, к модуляции поверхностного потенциала, тем самым приводя к флуктуации подвижности в области поверхности. На этих двух эффектах ( флуктуации числа носителей и флуктуации их подвижности) и основано рассмотрение ван-дер - Зила. В другой модели, предложенной недавно Вандаммом [68], 1 / / - шум трактуется как действительная флуктуация подвижности носителей s канале транзистора. [41]
Имеются по крайней мере три различные поправки к уравнению, описывающему величину 7 в приближении свободных электронов, которые могли бы дать требуемое увеличение эффективной массы. Эти поправки обусловлены: а) эффектами, связанными с периодическим потенциалом решетки; б) взаимодействием носителей заряда между собой; в) взаимодействием носителей с фононами. Причем, согласно [3], расчетные значения Ът / т для Na, A1 и РЬ равны 0 18, 0 49 и 1 05 соответственно. С - 234NkT3 / 0) 1, дает значение температуры Дебая во 170 К. Для этого можно использовать соотношение AD ( EF) тг / 2 ( состояний на I молекулу), которое справедливо для одномерных систем. Такая большая ширина зоны проводимости является признаком значительного перекрывания электронных волновых функций в направлении оси цепочки. [42]
Его анализ применим также и для других видов ближнего фононного взаимодействия. Взаимодействия носителя с оптическими и с акустическими фононами существенно отличаются друг от друга. В случае акустических фононов возникает локальная деформация, которая связывает носитель в области деформации, в отличие от взаимодействия с оптическими фононами, которое является дальнодействующим. [44]
Ранее одним из нас было показано [5], что в процессе распределения вещества между двумя растворителями, один из которых нанесен на носитель, в результате уменьшения растворяющей способности связанного растворителя из-за наличия в набухших гранулах носителя сольват-ного растворителя, не принимающего участия в процессе распределения, изменится и коэффициент распределения вещества между этими растворителями. Таким образом, для расчета процессов распределения в системах со связанными растворителями, а также их характеристики необходимо оперировать с коэффициентами распределения, определенными с учетом взаимодействия растворителя с носителем. Пренебрежение взаимодействием носителя с растворителем при рассмотрении процессов, протекающих в системах со связанными растворителями, приводит к существенным ошибкам. [45]
Страницы: 1 2 3 4