Взаимодействие - точечный дефект
Cтраница 1
Взаимодействие точечных дефектов ( примесей) с дислокацией имеет две особенности. Во-первых, между ними существует простирающееся на большие расстояния упругое взаимодействие, обусловленное упругими полями дефектов. [1]
Завершая рассмотрение взаимодействия точечных дефектов с доменными границами, рассмотрим здесь же кратко случай родственных им нарушений кристаллической решетки - так называемых несегнетоэлектрических включений. Взаимодействие указанных дефектов с доменными стенками связано с конечностью их размеров и обусловлено как минимум двумя причинами. [2]
Вопрос о взаимодействии точечных дефектов, дислокаций и поверхностных дефектов в ионных кристаллах заслуживает самого серьезного внимания. Обращаясь к истории вопроса, заметим, что явления, возникающие вблизи дислокаций; весьма аналогичны эффектам на поверхности кристаллов. Продолжая исследование А. Ф. Иоффе и его учеников по изучению поверхностных свойств реального ионного кристалла, А. В. Степанов в 1932 году открыл явление возникновения электрического потенциала на гранях ионных кристаллов при их пластической деформации, названное эффектом Степанова. Было показано, что генерация зарядов имеет при этом место в полосах скольжения. Поэтому возникновение заряженных линейных дефектов возможно лишь при захвате или потере ими дефектов нулевого порядка. Таким образом, установив эффект заряжения дислокаций при их движении, А. В. Степанов тем самым экспериментально обнаружил взаимодействие линейных и точечных дефектов. [3]
Мы видим, что взаимодействие точечного дефекта с упругим полем состоит из двух независимых частей, в первой из которых ( линейной по деформации) дефект выступает как источник напряжений, а во второй ( квадратичной по деформациям) - как локальная неоднородность. Иногда говорят, что первая описывает размерный эффект, а вторая - модульный эффект. [4]
Рассмотрим сначала вопрос о взаимодействии точечных дефектов в рамках модели упругого континуума. Определим понятие силы, действующей на дефект. Пусть упругое твердое тело содержит некоторые дефекты и в общем случае подвержено воздействию внешних сил, действующих на его поверхность. Рассмотрим какой-нибудь из дефектов. Пусть дефект бесконечно мало сместился. [5]
Процесс возврата заключается во взаимодействии точечных дефектов с дислокациями. [6]
 |
Образование структуры сдвига в окисном кристалле типа ReO3. ( Стрелкой указано направление скалывающей кристалл силы, а сплошной линией - плоскость кристаллографического сдвига. [7] |
Было показано [31-33], что взаимодействие точечных дефектов может привести и к более серьезным структурным изменениям, нежели локальные искажения решетки. Речь идет об упорядочении дефектов с образованием сверхструктуры или структуры сдвига. Первая возникает путем ассимиляции вакансий или внедренных атомов: одинаковые по заряду дефекты стремятся занять более удаленные друг от друга позиции, но по мере увеличения их концентрации отталкивающие силы заставляют дефекты занимать вполне определенные кристаллографические узлы. При некоторой концентрации вакансии или внедренные атомы полностью упорядочиваются с образованием сверхструктуры. Естественно, что упорядоченные дефекты связывают друг друга; они значительно менее подвижны, чем неупорядоченные и, строго говоря, не могут рассматриваться как дефекты во вновь возникшем кристаллографическом порядке. В качестве дефектов теперь выступают любые нарушения сверхструктуры, а не основной структуры, существовавшей первоначально. [8]
В заключение отметим, что имеется ряд равноправно существующих моделей, описывающих взаимодействие точечных дефектов, образование ассоциатов, сверхструктур, упорядочение и аннигиляцию дефектов путем перегруппировки координационных полиэдров. [9]
Существенная перестройка исходной микроструктуры в результате облучения является, между прочим, результатом взаимодействия точечных дефектов с дислокациями, что влияет на эффект РУ стали, особенно в холоднодеформированном состоянии. [10]
Техасского университета ( США), рассмотрены вопросы теории диффузии, связанные с взаимодействием точечных дефектов и коррелврованностью их блужданий. [11]
Однако локальные искажения кристаллической решетки не являются единственным видом искажений, возникающих в результате взаимодействия точечных дефектов. Упорядочение дефектов может привести к образованию сверхструктуры или структуры сдвига. Одинаковые по заряду дефекты, стремящиеся занять наиболее удаленные друг от друга позиции, по мере увеличения их концентрации под действием отталкивающих сил размещаются в вполне определенных кристаллографических узлах. [12]
Исследование деталей дислокационной структуры, распределения и подвижности примесных атомов в поле напряжения колеблющейся дислокации, энергий и энтропии взаимодействия точечных дефектов и дислокаций позволяет изучать связь механических свойств с характером дислокационной структуры. Конечной целью таких исследований является выяснение возможности контролируемых влияний различных типов дислокационной структуры на прочностные свойства кристаллических тел. [13]
Приведены данные по анизотропии магнитных свойств и текстуре материалов при деформации, показана возможность контроля величины приложенных и остаточных напряжений по измерениям наведенной анизотропии и нормальной компоненты магнитного поля. С учетом взаимодействия точечных дефектов и дислокаций рассчитано изменение физических свойств материалов при знакопеременных нагрузках. [14]
В этой модели предполагается, что внедренные атомы и вакансии, образовавшиеся при облучении, затем, мигрируя в кристаллической решетке, взаимно аннигилируют или взаимодействуют с примесными атомами, образуя так называемые комплексы. В работе [187] эта модель дополнена взаимодействием точечных дефектов, генерированных облучением, с дислокациями, обусловливающими их восхождение. [15]
Страницы: 1 2