Взаимодействие - точечный дефект
Cтраница 2
При внедрении ионов бора тип образующихся радиационных дефектов иной, чем при внедрении фосфора. Центрами ее зарождения служат дислокационные петли, возникающие при взаимодействии точечных дефектов в процессе легирования. Распад включений новой фазы в процессе отжига приводит к появлению в междоузлиях дополнительных атомов кремния, способных вытеснить атомы бора из узлов решетки. С повышением температуры отжига доля замещающих атомов бора растет. Если температура отжига превышает 800 С, доля замещающих атомов бора практически перестает зависеть от условий легирования. [16]
 |
Механические свойства некоторых биметаллических труб.| Влияние температуры испытаний на прочность соединения слоев. [17] |
Точечные дефекты - вакансии и дислоцированные атомы ( пары Френкеля) являются первичными и образуются, главным образом, в результате упругого рассеяния бомбардирующих частиц на атомах кристаллической решетки. Кластеры, дислокационные петли, поры - комплексные радиационные дефекты, которые образуются в результате перемещения и взаимодействия точечных дефектов. Значительное развитие парообразования может стать причиной увеличения объема - вакансионного радиационного распухания. [18]
Выражение (38.23) описывает, согласно терминологии Зинера [164], энергию взаимодействия атомов внедрения на далеких расстояниях. Как показано в [164, 252], введение точечных дефектен в упруго-изотропный объем конечного размера приводит к появлению мнимых поверхностных сил, создающих однородные напряжения. Взаимодействие локальной деформации, связанной с введением точечного дефекта, с этими напряжениями и приводит к взаимодействию точечных дефектов на далеких расстояниях. [19]
Точечные дефекты, мигрируя в кристалле, могут взаимодействовать как друг с другом, так и с другими дефектами. Так, например, встречаясь при своем движении, вакансия и межузельный атом могут аннигилировать. Атомы примесей также могут взаимодействовать с вакансиями, при этом образуются комплексы вакансия - примесь. Имеет место взаимодействие точечных дефектов и с дефектами линейными - дислокациями. [20]
Оказалось, что такие петли возникают и из вакансий, и из меж-доузельных атомов. В ходе описываемых исследований было установлено, что некоторые границы, особенно когерентные двойниковые, декорируются маленькими точками, исчезающими при нагреве. Когерентный двойник должен служить задерживающим барьером для фокусонов, не будучи при этом стоком для дефектов. Были также получены данные, свидетельствующие о взаимодействии точечных дефектов с дислокациями. В образцах, облученных нейтронами, дислокационные линии оказываются неровными, даже когда еще не видно никаких петель и точек. Внутри кристаллических зерен петли обычно выравниваются. Это приписывается прохождению осколков деления, вызывающих несколько первичных смещений и создающих центры, в которых зарождаются петли. [21]
В табл. 5.16 приведены значения энергии активации образования и перемещения дефектов. Движущиеся дефекты могут взаимодействовать между собой, а также с другими несовершенствами структуры. В результате этих взаимодействий может происходить изменение свойств. Примером взаимодействия могут служить скопления смещенных атомов и скопления вакансий, причем вакансии и смещенные атомы могут взаимно аннигилировать. Возможны также захват вакансиями примесных атомов, взаимодействие точечных дефектов с дислокациями, закрепление последних и миграция дефектов к поверхности и границам зерен, где они поглощаются. [22]
Энергия образования центра окраски оценивается по положению и интенсивности полосы поглощения. Если полоса поглощения попадает в область видимого света, меняется видимая окраска кристалла. Так, в результате нагревания щелочногалоидного кристалла в парах щелочного металла заметно меняется его окраска: например, бесцветные кристаллы NaCl, KC1 в парах Na приобретают ярко-синюю окраску. Появляющиеся спектральные полосы поглощения характерны для кристалла и не зависят от того, какой щелочной металл использован для испарения. Этим подтверждается предположение, что центр окраски создается при взаимодействии собственного точечного дефекта кристалла с электроном или дыркой, поставляемыми из щелочных паров. [23]
Вопрос о взаимодействии точечных дефектов, дислокаций и поверхностных дефектов в ионных кристаллах заслуживает самого серьезного внимания. Обращаясь к истории вопроса, заметим, что явления, возникающие вблизи дислокаций; весьма аналогичны эффектам на поверхности кристаллов. Продолжая исследование А. Ф. Иоффе и его учеников по изучению поверхностных свойств реального ионного кристалла, А. В. Степанов в 1932 году открыл явление возникновения электрического потенциала на гранях ионных кристаллов при их пластической деформации, названное эффектом Степанова. Было показано, что генерация зарядов имеет при этом место в полосах скольжения. Поэтому возникновение заряженных линейных дефектов возможно лишь при захвате или потере ими дефектов нулевого порядка. Таким образом, установив эффект заряжения дислокаций при их движении, А. В. Степанов тем самым экспериментально обнаружил взаимодействие линейных и точечных дефектов. [24]
Страницы: 1 2