Зона - проводимость
Cтраница 1
Зона проводимости - свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости. [1]
Зона проводимости и валентная зона разделены запрещенной зоной, ширина которой &3 различна у разных материалов. [2]
Зона проводимости, в которую переходит относительно небольшое число электронов из валентной зоны, заполняется частично. Перешедшие электроны занимают преимущественно наиболее низкие уровни, расположенные у дна зоны. [3]
Зона проводимости может возникать и другим способом. Так, у бериллия 25-оболочка заполнена. Но так как свободная 2р оболочка по энергии близка к 2 -оболочке ( уровни бериллия водородоподобны благодаря малому атомному номеру), то зоны, происходящие из 2s - и 2р - состояний атомов в кристалле, перекрываются. [4]
Зона проводимости у металлов заполнена электронами лишь частично. [5]
Зона проводимости должна возникать из s - уровнеи элемента А11, и должна быть тем самым простой. [6]
Зона проводимости - низшая по энергии разрешенная энергетическая зона, не заполненная или заполненная носителями частично при абсолютном нуле температур. [7]
Зона проводимости имеет непараболическую форму; кривизна ее уменьшается с увеличением энергии. [8]
Зона проводимости в кристаллах железа, кобальта и никеля образована перекрыванием соответствующих 4s - и Зс ( - валентных зон. При этом 3i - 30Hbi относительно узки, а плотность заполнения их электронами весьма велика. Поэтому кинетическая энергия электронов, заполняющих эти зоны, относительно мала и они в значительной степени локализованы у своих атомов. Именно направленным взаимодействием неспаренных rf - электронов соседних атомов и объясняется тот факт, что связь в кристаллах переходных металлов носит частично ко-валентный характер. [9]
Зона проводимости оказывается пустой, так как тепловой энергии недостаточно для ее заселения электронами. Вместе с тем валентная зона полностью заполнена электронами, и поэтому они лишены свободы перемещения. Электроны не могут перемещаться вдоль кристалла, даже если к нему прикладывается высокое напряжение, поэтому подобные вещества называются изоляторами. Разумеется, при очень высоких температурах или чрезвычайно больших напряжениях может наступить пробой изолятора, подобно тому как это бывает при проскакивании искр в воздухе. В таких условиях электроны приобретают достаточную энергию, чтобы перескочить через запрещенную зону, и создают проводимость. Однако в этих случаях нередко происходит полная ионизация и разрушение изолятора. [10]
Зона проводимости теллура состоит из двух зон: узкой зоны и перекрывающейся с ней широкой зоны. [11]
 |
Зависимость энергии свободного электрона, находящегося в вакууме, от величины его импульса.| Структура энергетических зон арсенида галлия в кристаллографическом направлении. [12] |
Зона проводимости полупроводника может быть образована из нескольких перекрывающихся между собой разрешенных энергетических зон. [13]
Зона проводимости теллура состоит из двух зон: узкой зоны и перекрывающейся с ней широкой зоны. [14]
 |
Зависимость энер.| Структура энергетических зон арсенида галлия в кристаллографическом направлении. [15] |
Страницы: 1 2 3 4