Зона - проводимость
Cтраница 3
Расчет зоны проводимости в кристаллической двуокиси кремния [236, 1585, 154] показал, что высота барьера составляет - 5 эВ для уровней энергии, образующих четырехкратно вырожденную лестницу подзон, т.е. на 2 эВ выше, чем для электронов, заполняющих двукратно вырожденную лестницу подзон, хотя туннельные измерения [1953] для поверхностей ( 100), ( 110), ( 111), по-видимому, не подтверждают столь большое значение. [31]
 |
Изменение ширины запрещенной.| Диаграмма состояния системы PbSe - SnSe.| Зависимость периода решетки твердых растворов РЬ ] ж5п 8е от состава.| Зависимость концентрации носи. [32] |
Инверсия зоны проводимости и валентной зоны оказывает существенное влияние на электрические характеристики твердых растворов. В частности, на температурных зависимостях удильного электрического сопротивления появляются характерные изломы при температурах инверсии зон. Другой характерной чертой зонной структуры твердых растворов Pbi iSruTe является сложное строение валентной зоны, состоящей из двух подзон с различной плотностью состояний. [33]
Дно зоны проводимости у всех рассматриваемых соединений расположено в центре зоны Бриллюэна и отвечает представлению А. Анализ волновых функций, отвечающих дну зоны проводимости А и вершине валентной зоны ( уровни Г4 и А), показывает, что основной вклад в них дают плоские волны с векторами обратной решетки сфалерита. Отсюда следует, что уровни происходят из точки Г - сфалерита. Для случая ZnSnP2, ZnSnAs2 и ZnGeAs2 подобный вывод сделан в работах [48-50], где приведены вычисления структуры границ зон указанных соединений по теории возмущений. Показано, что уровни Г4 и А. Аз сфалерита и А отвечает дну зоны проводимости сфалерита ( типа GaAs) - А. [34]
Электрон зоны проводимости может быть локализован около одного из положительных ионов. У дна зоны проводимости энергетические уровни отщепляются, образуя непрерывный спектр флук-туационных уровней. Эти уровни являются акцепторами или ловушками электронов. Если в свободном состоянии потенциал ионизации рассматриваемых щелочных атомов не меньше 3 8 эв, то ионизационные потенциалы адсорбированных щелочных атомов на стекле составляет десятые доли электрон-вольта. [35]
Положение зоны проводимости относительно EI ( ширина спектра полярных состояний) определяется потенциалом взаимодействия соседних ионов, который зависит главным образом от плотности упаковки кристаллов и размеров молекул. [37]
 |
Работа выхода при Г0 К. [38] |
Дно зоны проводимости - самая низкая энергия, которой может обладать свободный электрон в кристалле. Оно соответствует энергии покоя свободного электрона в кристалле. [39]
 |
Переход металл - полупроводник р-типа. [40] |
Граница зоны проводимости на энергетической диаграмме расположена горизонтально. Когда электрон попадает в область действия поля контактной разности потенциалов, его энергия увеличивается до значения Е0 р ( х), причем тем больше, чем ближе электрон к поверхности. Увеличение энергии электронов под действием ф () выражается в искривлении границы зоны проводимости вверх. [41]
Кривизна зоны проводимости не постоянна, а уменьшается с увеличением энергии, хотя и не так быстро, как в антимониде индия. [42]
 |
Изменение температуры плавления d - элементов по группам. [43] |
Образование зон проводимости, неполностью заполненных нелокализованными электронами, и обусловливает металлическое состояние этих веществ. [44]
В зоне проводимости, отвечающей волновому числу &2, верхняя граница выше, и свешивающийся барьер не достигает выбранной энергии Е и потому преодолевается без туннелирования. Если волна ехр ( г & 1ж) падает слева, то резкий край барьера способствует трансформации волн k - k % и усилению проницаемости. Если же волна ехр ( - ikix) падает справа, то правый пологий склон барьера слабо возмущает решение и волна вынуждена туннелировать через барьер. То есть происходит нарушение симметрии проницаемости барьера в противоположных направлениях ( сравни с двухканальным туннелированием, гл. [45]
Страницы: 1 2 3 4