Зона - расплав
Cтраница 3
 |
Влияние скорости выращивания ( а и толщины диффузионного слоя ( б на эффективный коэффициент распределения примесей. 7 - В. 2 - Р. 3 - As. 4 - Sb. 5 - Ga. 6 - Al. 7 - Bi. 8 - In. [31] |
Дополнительно ряд примесей, для которых упругость паров при температуре зоны расплава выше. При этом часто примесь испаряется не в чистом виде, а в виде соединений с кремнием ( например, SiO) или с другими примесями, находящимися в расплаве. [32]
При выращивании в газовой среде испарение легирующего элемента с поверхности зоны расплава значительно уменьшается, что способствует более точному и воспроизводимому легированию. [33]
Для постоянства Ns вдоль слитка необходимо, чтобы концентрация в зоне расплава была постоянной, а коэффициент сегрегации в отличие от коэффициента по методу Чохральского был мал. [34]
Для очистки используют слитки длиной 20 - 40 см; длина зоны расплава 3 - 6 см. Примеси по мере передвижения зоны расплава оттесняются к концу слитка. Объясняется это тем, что кристаллизуется более чистое вещество, а примеси в значительной степени остаются в расплаве. [35]
 |
Экспериментальная ( / и расчетная ( 2 зависимости высоты зоны расплава от диаметра выращиваемого кристалла при диаметре индуктора, мм. [36] |
Центробежные потоки связаны с вращением стержня и находящейся на его торце зоны расплава. Центробежные потоки оказывают влияние на характер конвективных потоков. [37]
 |
Осевой градиент температуры Д Т и мини - У01й К / мин. [38] |
В процессе бестигельной зонной плавки легирующая примесь из прутка-подложки переходит в зону расплава и распределяется по всему объему монокристалла. [39]
Недостатком электроннолучевых испарителей является сложность и ненадежность механизмов подачи геттера в зону расплава, а общим недостатком всех испарителей с электронным нагревом - наличие термоэмиттера, уменьшающего надежность и сокращающего срок службы системы. [40]
При мелой скорости выращивания ( 1 - 2 мм / мин) зона расплава имеет малую длину и большой температурный градиент в растущей части кристалла. Кроме того, уменьшается расстояние между зоной расплава и индуктором. В этом случае электродинамическое воздействие деформирует зону расплава, что приводит к искривлению растущего кристалла ( винтообразная форма) и возможному проливу зоны расплава. [41]
На распределение легирующего элемента по торцевому сечению монокристалла оказывают влияние асимметрии нагрева зоны расплава [247]; скорость вращения монокристалла [229, 247]; форма и размеры индуктора [229, 248]; степень компенсации. [43]
 |
Изменение высоты монокристаллической пластины лейкосапфира. 7 - соответствует hH. 2 - соответствует hK, где hH - начальная высота кристалла, hK - высота вблизи конца кристалла. [44] |
Видно, что характер изменения hK зависит от ширины расплава - чем уже зона расплава, тем меньше изменение высоты монокристалла. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5