Система - память
Cтраница 2
Для создания систем топографической памяти с высокой степенью считывания и большой емкостью необходимы газовые лазеры видимого диапазона еще более высокой монохроматичности и направленности излучения. [16]
Применение в системе памяти логических элементов, которые могут переключаться за короткие промежутки времени, обеспечивает высокое быстродействие. [17]
Взаимоотношения между системами памяти и типами сознания отражены в Табл. Аноэтичное сознание иногда называют незнающим, поскольку оно ограничено во времени текущей ситуацией. Этот тип сознания позволяет человеку фиксировать признаки окружения и реагировать своим поведением на данную обстановку. Находясь в ноэтичном, или знающем сознании, человек может осознавать объекты, события и их взаимосвязь при отсутствии этих объектов или событий. [18]
На линии используется система следящей памяти и блокировки для непосредственной проверки положения валиков на определенных позициях и станках. Элемент системы памяти представляет собой гребенку, состоящую из отдельных мелких стержней, изготовленных из специального сплава с большим остаточным магнетизмом. Эти стержни намагничиваются с разной полярностью, причем порядок чередования полярности намагниченных стержней является соответствующим кодом для каждого валика. Положительным качеством такой системы памяти является простота ее элементов, не имеющих трущихся и вращающихся деталей. [19]
Воспроизведение информации из системы активной памяти может принимать очень разные формы, наиболее простая из которых называется доступ, адресуемый по содержанию. Эта модель напоминает модель с произвольным доступом в том отношении, что для доступа к памяти в ней используются определенные описания или индексы зондирования памяти. [20]
Необходимо тренировать всю систему памяти. Эффективность ее возрастает, если получаемая информация представляет собой логические комплексы, в рамках которых можно без труда размещать новые знания. [21]
На рис. 33.1 показана система памяти с четырьмя уровнями. На практике используются системы с двумя - пятью уровнями. С экономической точки зрения системы с числом уровней более четырех или пяти нецелесообразны. [22]
 |
Двухмерная матрица. [23] |
Рассмотрим принцип действия этих систем памяти. [24]
 |
Схема сопряжения мини - ЭВМ с помощью интерфейсной карты. [25] |
Возможен комбинационный вариант организации системы памяти с быстродействующим ЗУ небольшой емкости и медленнодействующими ЗУ большой емкости, разделенными на секции. [26]
В отношении характера постоянства системы памяти разделяются на стирающиеся, нестирающиеся и кратковременные. [27]
 |
Структурная схема полупроводникового запоминающего устройства. [28] |
При объединении ЗУ в систему памяти используются типовые элементы, связанные с входными и выходными схемами. Входные схемы представляют собой логические элементы, через которые информаци - онные, управляющие и адресные сигналы поступают в ЗУ. Входные информационные сигналы DI поступают в устройство записи УЗ, которое служит для записи информации в элементы памяти, объединенные в накопителе. Выходные информационные сигналы DO считываются из ЗУ через устройство считывания УС. [29]
 |
Структурная схема полупроводникового запоминающего устройства. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5