Система - полоса - поглощение
Cтраница 1
Система полос поглощения при 3000 - 2500 А, но без тонкой вращательной структуры; отмечается предиссоциация. GH, следующая за процессом ( 2); процесс ( 3) возможен по аналогии с ацетиленом и метилацетиленом. [1]
Таким образом, вся система полос поглощения смещается на указанный интервал в сторону малых частот, а система полос излучения смещается на такой же интервал в сторону больших частот. Положение спектров поглощения и излучения, возникающих в результате переходов с уровней 1 и 1 для случая гармонического осциллятора, изображено отдельно пунктирными линиями на рис. 42, а снизу. Эти спектры теперь частично накладываются друг на друга. [2]
Другим примером может служить первая ультрафиолетовая система полос поглощения NH3 и ND3, которая простирается от 2200 до 1700 А. [3]
Еще одним примером служит система полос поглощения симметричного диазина ( пиразина) около 3700 А. Поэтому Герц-берг [523] предложил считать этот переход триплет-синглетным, что было подтверждено Дугласом и Милтоном [299], наблюдавшими большое зеема-новское расщепление. [4]
Для газа цкана наблюдены дне системы полос поглощения. [5]
Координированные сульфатогруппы идентифицируют по всем четырем системам полос поглощения или же по нескольким из них. [6]
С увеличением числа сконденсированных колец в полицикло-ароматической системе полосы поглощения в электронных спектрах уширяются и смещаются в область больших длин волн, поэтому положение максимума и протяженность батохромного спада поглощения могут использоваться для приближенной оценки размеров ароматических ядер ( или систем полисопряженных связей) в средней молекуле смеси. [7]
По-видимому, более наглядным примером может служить система полос поглощения бензола в близкой ультрафиолетовой области. Симметрия этих двух состояний различается на E2g, и, поскольку в бензоле имеются нормальные колебания такого типа ( четыре колебания), может происходить заметное заимствование интенсивности. [8]
 |
Кристаллическая структура GeS. [9] |
При температурах 450 - 600 С GeS дает две системы полос поглощения в ультрафиолетовой области. Система полос в интервале Я 2740 ч - 2146 А [ 4831 возникает благодаря переходу от Х - со-стояния ( основного) в Я-сосюяние, вторая система полос ( А 3360 - ь 2460 А) - вследствие перехода от Х - к D-состоянию. [10]
 |
Кристаллическая структура GeS. [11] |
При температурах 450 - 600 С GeS дает две системы полос поглощения в ультрафиолетовой области. Система полос в интервале Я 2740 - f - 2146 А [483] возникает благодаря переходу от Х - со-стояния ( основного) в Я-сосюяние, вторая система полос ( А 3360 ч - 2460 А) - вследствие перехода от Х - к D-состоянию. [12]
В ультрафиолетовой области ( начиная с 2100 А) имеется ряд систем полос поглощения. Значение частоты колебания в верхнем состоянии позволяет с уверенностью предполагать, что она связана с симметричным деформационным колебанием v2, которое в молекуле симметрии f 3l, ( наряду с колебанием v4) может проявляться в виде длинной прогрессии. Угол при этом может как уменьшаться, так и увеличиваться, однако в данном случае, как будет показано, он увеличивается, причем настолько, что во всех известных возбужденных электронных состояниях молекула становится плоской. [13]
Каждому электронному состоянию соответствует набор колебательных подуровней, поэтому в спектре поглощения наблюдается система полос поглощения, соответствующих электронным переходам между подуровнями основного и возбужденного состояний. В фотометрическом анализе поглощающее вещество обычно находится в растворе, поэтому межмолекулярное взаимодействие поглощающего вещества и растворителя значительно увеличивает ширину полосы поглощения. Для каждого поглощающего вещества имеется определенное распределение интенсивности поглощения по длинам волн. При этом на кривой поглощения, называемой спектром, имеется один или несколько-максимумов. [14]
Каждому электронному состоянию соответствует набор колебательных подуровней, поэтому в спектре поглощения наблюдается система полос поглощения, соответствующих электронным переходам между подуровнями основного и возбужденного состояний. В фотометрическом анализе поглощающее вещество обычно находится в растворе, поэтому межмолекулярное взаимодействие поглощающего вещества и растворителя значительно увеличивает ширину полосы поглощения. Для каждого поглощающего вещества имеется определенное распределение интенсивности поглощения по длинам волн. При этом на кривой поглощения, называемой спектром, имеется один или несколько максимумов. [15]
Страницы: 1 2