Cтраница 1
Энергетические зоны, подобно энергетическим уровням электрона в изолированном атоме, в общем случае разделены интервалами запрещенных энергий AW -, которые называют запрещенными зонами. [1]
Энергетические зоны, соответствующие этим трем волновым функциям, в точности перекрываются, так что в простом кубическом кристалле вырождение р-уровня не снимается. [2]
![]() |
Энергетические зоны кристалла. [3] |
Энергетическая зона, все уровни которой заполнены электронами, называется заполненной. [4]
![]() |
Заполнение энергетических зон. [5] |
Энергетическая зона, в которой не все уровни заняты электронами, называется свободной. Свободная зона более удалена от ядра атома, чем заполненные. [6]
![]() |
Удельное сопротивление полиакрилонитрила, содержащего 1 1-дифенил - 2-пикрилгидразил. [7] |
Энергетическая зона для интервала высоких температур равна энергетической зоне чистого полиакрилонитрила даже в присутствии 10 2 % примеси. [8]
![]() |
Энергетические уровни. [9] |
Энергетические зоны, соответствующие разрешенным уровням, делятся на заполненную и свободную. Для возникновения электропроводности необходимо части электронов заполненной зоны перейти в свободную зону. Возможность такого перехода определяется шириной запрещенной зоны, пропорциональной энергии, которую необходимо затратить для указанного перехода электронов. [10]
![]() |
Образование энергетической зоны натрия.| Схема энергетической зоны натрия. [11] |
Энергетические зоны в твердых телах могут быть исследованы экспериментально различными физическими методами. [12]
Энергетические зоны Ш - нитридов ( для трех полиморфных модификаций представлены на рис. 1.2 ( расчет методом ЛМТО [73]) и образуют квазиостовную подполосу Шя-состояний, полностью занятую гибридную полосу M ( s p d) - N2p - Tima ( M В, Al, Ga, In), отделенную от зоны проводимости запрещенной щелью. [13]
Энергетические зоны a - p - Si3N4 приводятся на рис. 4.2. Валентная зона включает две подполосы занятых состояний, нижняя из которых ( шириной - 4 10 эВ) сформирована в основном N2s - состояниями и отделена ЗЩ от верхней подполосы смешанного N2 / 7 - Sis p d - Tma. [14]
Энергетическая зона образуется, когда k пробегает все разрешенные значения. [15]