Cтраница 3
Каждая энергетическая зона содержит по крайней мере N уровней, на которых могут размещаться электроны, где N - число атомов в кристалле. Это расстояние столь ничтожно, что зоны можно считать практически непрерывными. Однако тот факт, что число уровней в зоне является все-таки конечным, играет важную роль в определении характера распределения электронов в кристалле по состояниям. Так как на каждом уровне может разместиться не более двух электронов с противоположными спинами, то при ограниченном числе электронов, содержащихся в твердом теле, заполненными окажутся лишь несколько наиболее низких энергетических зон. [31]
Рассматривая энергетические зоны с позиций метода МО, можно считать, что они образуют совокупность близких по энергии связывающих, несвязывающих и разрыхляющих МО. Существование несвязывающих МО предполагает существование в твердых телах атомов. [32]
Если энергетическая зона заполнена настолько, что использованное приближенное выражение для энергии перестает быть справедливым, то формула (5.98) становится недействительной. [33]
Поскольку энергетические зоны, как правило, имеют несколько экстремумов ( см. рис. 1 - 11), то эффективные плотности состояний, как показывает теория, больше приведенных значений; последние следует умножить на число экстремумов. [34]
Каждая энергетическая зона описывается законом дисперсии Еп ( k), где п - номер зоны, а Еп ( k) - периодическая функция с периодом обратной решетки. [35]
Каждая энергетическая зона содержит, как мы выяснили, ограниченное число энергетических уровней. В соответствии с принципом Паули а каждом уровне может разместиться не более двух электронов. При ограниченном числе электронов, содержащихся в твердом теле, заполненными окажутся лишь несколько наиболее низких энергетических зон. [36]
Поскольку энергетические зоны, как правило, имеют несколько экстремумов ( см. рис, 1 - 11), то эффективные плотности состояний, как показывает теория, больше приведенных значений: последние следует умножить на число экстремумов. [37]
Рассматриваемые энергетические зоны возникают из зон Джонса, которые будут подробно обсуждаться при анализе тетраэдрических полупроводников в рамках метода псевдопотенциала в гл. [38]
Какие энергетические зоны имеются в полупроводниках и как Они образуются. [39]
Поэтому энергетические зоны в этих областях изображены горизонтальными. Взаимное положение границ зон и уровня Ферми при этом остается таким же, как в однородном полупроводнике. [40]
Почему нижние энергетические зоны заполнены полностью, в то время как верхние ( валентные и возбужденные) могут быть заполненными лишь частично или даже быть совсем пустыми. [41]
Поэтому незаполненные энергетические зоны называются зонами проводимости. [42]
Существование энергетических зон позволяет объяснить с единой точки зрения существование металлов, полупроводников и диэлектриков. [43]
Изгибание энергетических зон в области перехода вызвано тем, что потенциал р-области в состоянии равновесия ниже, чем потенциал / г-области; соответственно потенциальная энергия электрона в р-области больше, чем в n - области. [44]
Искривление энергетических зон, изображенное на рис. 11.2, может быть достигнуто и с помощью внешнего электрического поля, если полупроводник является одной из обкладок конденсатора. [45]