Система - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Почему неправильный номер никогда не бывает занят? Законы Мерфи (еще...)

Система - электрон

Cтраница 2


При рассмотрении системы электронов в кристалле мы будем использовать одноэлектронное приближение, позволившее выше эффективно описать свойства сложных атомов и молекул. Форма поля t / ( r -) определяется свойствами симметрии кристалла. Учет остаточного кулоновского и спин-орбитального взаимодействия не вносит серьезных поправок в полученные при этом результаты.  [16]

Оператор энергии системы электронов в рассматриваемой модели ферромагнетика ( 1) разбивается на три части: It к - оператор энергии коллективизированных электронов, HL - оператор энергии локализованных электронов, Щ - оператор энергии взаимодействия локализованных электронов с коллективизированными.  [17]

Волновая функция системы электронов г, записанная в представлении вторичного квантования, будет определена нами из вариационн9го принципа.  [18]

Если к системе электронов приложить извне силу, то, согласно второму закону Ньютона, электроны будут стремиться получить ускорение в направлении этой приложенной силы.  [19]

Наоборот в системе электронов с параллельными спинами, плотность электронного облака между атомами снижается до нуля - электроны выталкиваются из пространства между ядрами р химической связи не возникает.  [20]

Если к системе электронов приложить извне силу, то, согласно второму закону Ньютона, электроны будут стремиться получить ускорение в направлении этой приложенной силы.  [21]

Плазма предстает как система электронов, ионов и нейтральных молекул; в первом приближении их соударения не учитываются. Под влиянием поля Е, Н все заряженные частицы совершают гармонические колебания.  [22]

В и-м состоянии система электронов описывается электронной волновой ф-цией Ф ( г, К), к-рая зависит от координат К как от параметров.  [23]

Хотя полное описание системы электронов в слое пространственного заряда лежит вне рамок существующих теорий, тем не менее достигнут некоторый прогресс в понимании как электронной структуры границы раздела полупроводник - диэлектрик ( см., например, [1069, 1070, 729]), так и ее микроскопической структуры, обсуждаемой ниже.  [24]

Сначала ограничимся рассмотрением системы электронов; этот выбор обусловлен более простой структурой зоны проводимости и практической важностью исследования инверсионных и обогащенных - каналов в кремнии.  [25]

Определение стационарных состояний системы электронов и ионов является очень трудной задачей. Для ее упрощения можно воспользоваться тем, что масса электронов во много раз меньше массы атомных ядер, в то время как на них действуют силы одного порядка. Вследствие этого ядра движутся значительно медленнее электронов, и с хорошей степенью точности ядра по отношению к электронам можно считать фиксированными силовыми центрами. При смещении ядер электроны быстро перестраиваются, так что можно рассматривать равновесное состояние системы электронов при фиксированном положении ядер, полагая, что в любом макроскопически малом объеме сохраняется электронейтральность.  [26]

Средний магнитный момент системы электронов зависит от того, какие состояния заполнены, а какие нет, и зависит, следовательно, от энергии электронов в этих состояниях. В отличие от изолированных атомов, где стационарные состояния электронов возможны лишь при дискретных значениях энергии, в твердых телах существуют интервалы возможных значений энергий полосы, перекрывающиеся или разделенные запрещенным интервалом - щелью. Энергетический спектр в этом случае определяют не положением разрешенных уровней энергии, а положением полос, их верхними и нижними краями, и зависимостью энергии от квазиимпульса и спина электрона внутри полосы.  [27]

На волновую функцию системы электронов принцип Паули ( принцип исключения или запрета) налагает требование ее антисимметричности: при перестановке двух электронов волновая функция, сохраняясь по абсолютной величине, меняет знак.  [28]

Исследование возбужденных состояний системы электронов показывает, что существуют нейтральные состояния адсорбированного атома, когда атом А вместе с ближайшим участком кристалла в целом электронейтрален ( основное состояние всегда нейтрально), и заряженные состояния, когда на атоме А или в его окружении имеется избыточный заряд. В частности, заряженное состояние может быть получено путем отрыва дырки от локализовавшегося вблизи атома А электрона решетки.  [29]

Мы будем считать систему электронов и фотонов однородной в пространстве, так что функция распределения f не зависит от координат.  [30]



Страницы:      1    2    3    4