Cтраница 3
Таким образом, систему электронов в кристалле в случае, когда в энергетической зоне мало не занятых электронами уровней, можно заменить, как и выше, системой свободных квазиэлектронов. В любом случае величина т характеризует систему взаимодействующих микрочастиц, а вовсе не какую-то реальную микрочастицу. [31]
Поверхность Ферми в системе электронов в непараболической зоне проводимости или в системе дырок в гофрированной, непараболической валентной зоне имеет более сложный вид, и в этом случае плотность состояний, как правило, следует находить численно. [32]
Поэтому представление о системе электронов, как о системе частиц, спин каждой из которых имеет вполне определенную ориентацию, задаваемую единичным вектором Р, фиктивно и вводить его с операционалистской точки зрения нежелательно. [33]
Этот гамильтониан соответствует системе электронов в металле, взаимодействующих с колебаниями кристаллической ионной решетки. Член Нг описывает процесс возбуждения электронами колебаний кристаллической решетки - процесс рождения кванта этих колебаний - фонона, равно как и обратный процесс - процесс поглощения фонона электроном. В соответствии с этим гамильтониан Нрг коммутирует с оператором полного числа электронов и не коммутирует с оператором полного числа фононов. [34]
Если в какой-либо системе электронов ( атом, кристалл) имеется четное число электронов, то спины каждой пары электронов, направленные в противоположные стороны, дают суммарный спин, равный нулю. Такая система называется скомпенсированной по спину. При нечетном числе элекронов система имеет нескомпенсированный спин, отличный от нуля. [35]
Если в какой-либо системе электронов ( атом, кристалл) имеется четное число электронов, то спины каждой пары электронов, направленные в противоположные стороны, дают суммарный спин, равный нулю. Такая система называется скомпенсированной по спину. При нечетном числе электронов система имеет некомпенсированный спин, отличный от нуля. [36]
Если в какой-либо системе электронов ( атом, кристалл) имеется четное число электронов, то спины каждой пары электронов, направленные в противоположные стороны, дают суммарный спин, равный нулю. Такая система называется скомпенсированной по спину. При нечетном числе электронов система имеет нескомпенсированный спин, отличный от нуля. [37]
Большой интерес прэдставляет системе двумерных электронов, помещенных в магнитное поле В, перпендикулярное плоскости их движения. [38]
Результирующая поляризация излучения от системы электронов оказывается с хорошим приближением линейной, электрический вектор лежит в плоскости, перпендикулярной к магнитному полю. [39]
Примером такой ситуации является система электронов с уровнем Ферми Рг ( см. фиг. Практически эти состояния всегда будут значительно возмущены, и можно ожидать, что значения g будут лежать в некотором широком интервале. К сожалению, явное вычисление требует решения уравнения ( 20), что возможно только численно. Некоторые сведения о представляющихся здесь возможностях можно получить, рассматривая простую модель, когда энергия зависит только от k и взаимодействие не зависит от направления. [40]
В основном состоянии энергия системы электронов имеет наименьшее возможное значение. [41]
В простейшем случае поведение системы электронов с дипольным доменом описывается уравнением Пуассона, уравнением сохранения числа электронов ( уравнением непрерывности) и уравнением для плотности тока в домене и вне домена. [42]
Прежде чем изучать движение системы электронов во внешнем периодическом поле решетки, мы рассмотрим движение одного электрона в поле кристаллической решетки В следующих параграфах будет показано, как это решение может быть использовано для исследования всей системы электронов. [43]
Определим сначала основное состояние системы электронов. Заметим, что переход второго электрона на молекулярную орбиту связан с образованием дырки. В основном состоянии кулоновское взаимодействие электрона с дыркой максимально, так как радиус образовавшегося локального экситона должен быть минимальным. Для большинства ионных кристаллов минимальный радиус зкситона равен половине периода решетки [6], поэтому при исследовании основного состояния мы можем ограничиться суммированием в ( 2) и ( 3) по четырем ближайшим к адсорбированному атому отрицательным ионам. [44]
Как нормируется волновая функция системы N электронов, если одно-электронные функции взаимно ортогональны. [45]