Обедненная зона

Cтраница 3

Причина, по-видимому, заключена в том, что длительный отпуск обеспечивает повышение содержания хрома в обедненной зоне за счет диффузионного выравнивания концентраций и, в то же время, не способен оказать значительного влияния на карбиды хрома, присутствующие по границам зерен. [31]

Вы бор конкретного полупроводникового детектора определяется прежде всего областью применения, причем наиболее важным фактором является ширина обедненной зоны. Следует отметить, что при слишком больших дозах облучения в полупроводнике возникают радиационные дефекты, которые приводят к выходу детектора из строя. Этим ограничивается область применения полупроводниковых детекторов. [32]

В закаленном высокочистом алюминии иногда наблюдаются хорошо развитые геликоидальные дислокации [ 7J; установлено, что они имеют обедненные зоны как около пустот, так и у дислокационных петель. [33]

Если на р - n - переход подавать разные запирающие ( отрицательные) напряжения, то будет происходить изменение ширины обедненной зоны ( на рис. 4 - 13, бив заштрихована) и сечения канала. Таким образом, управление током стока осуществляется путем обеднения канала носителями заряда. [34]

Однако в процессе дальнейшего охлаждения металла, когда зона ванны вблизи границы сплавления затвердеет, происходит обратное перемещение элемента из шва в обедненную зону основного металла. Углерод, в результате его большой диффузионной подвижности в твердой стали при высоких температурах, почти выравнивает свою концентрацию. Сера не успевает переместиться и поэтому у границы сплавления в частично оплавленном основном металле имеется зона уменьшенной концентрации этого элемента. [35]

Приблизительное время, необходимое для выравнивания концентрации хрома по границам зерен при различных температурах выпадения карбидов в стали 1Х18Н9. [36]

В нашем случае отношение с / с0 при полном выравнивании содержания хрома меняется от 0 до 1 или от 0 до 0 63 при повышении содержания хрома в обедненной зоне до 12 %, причем расстояние х не является постоянным. Результаты такого расчета зависят также от принятых коэффициентов диффузии, значения которых, приводимые различными авторами, могут несколько отличаться друг от друга, а поэтому найденные приблизительные величины времени должны рассматриваться как ориентировочные. [37]

Влияние содержания углерода в стали типа 18 - 8 на глубину проникновения МКК после сенсибилизации при 800 С. [38]

Благоприятное влияние хрома объясняется тем, что с повышением его среднего содержания в стали увеличивается и его содержание в участках твердого раствора, прилегающих к выделившимся карбидам ( в обедненных зонах), что повышает их стойкость. [39]

Схематические С-образные кривые, показывающие. [40]

При дальнейшем увеличении времени отпуска по мере уменьшения концентрации углерода, идущего на образование карбидов хрома, скорость диффузии хрома начинает превышать скорость диффузии углерода, в результате чего содержание хрома в обедненной зоне увеличивается, что приводи к уменьшению склонности стали к межкристаллитной коррозии. [41]

Кристаллическая решетка кремния при абсолютном нуле температуры ( о, с разрывом одной кова-лентной связи с примесью, обеспечивающей проводимость n - типа ( б, и с примесью, обеспечивающей проводимость р-типа ( г.| Образование потенциального барьера из-за поглощения свободных зарядов в области р-п-пс-рехода ( а - п соответствующее смещение энергетических уровней ( б. [42]

Если пластины из кремния л - и р-типов приведены в тесный контакт, то свободные электроны и свободные дырки, диффундируя к поверхности р-п перехода, будут рекомбини-ровать, как показано на рис. 5.11, а, образуя слой, обедненный носителями заряда, который носит название обедненной зоны. При этом атомы примеси в области перехода, лишенные соответствующих дырок или элементов, превратятся в ионы. На рисунке показано, как меняется потенциал при пересечении p - n - перехода. После того как два куска вещества приведены в соприкосновение, должно произойти выравнивание их уровней Ферми. Значение потенциального барьера невозможно измерить каким-либо прибором, поскольку на измерительных контактах формируется такой же барьер противоположного знака. [43]

Две характеристики pn - фотодиодов ограничивают их применение в большинстве волоконно-оптических приложений. Во-первых, обедненная зона составляет достаточно малую часть всего объема диода, и большая часть поглощенных фотонов не приводит к генерации тока во внешнем контуре. Возникающие при этом электроны и дырки рекомбинируют по дороге к области сильного поля. Для генерации тока достаточной силы требуется мощный световой источник. Во-вторых, наличие медленного отклика, обусловленного медленной диффузией, замедляет работу диода, делая его непригодным для средне - и высокоскоростных применений. Это позволяет использовать диод только в килогерцовом диапазоне. [44]

Поскольку внутренний слой не содержит свободных носителей заряда, то электрические силы в нем будут значительными. При этом образуется обедненная зона, сравнимая по ширине с размером диода. Принципиального различия в работе диода pin - типа и диода pn - типа не существует. Широкий внутренний слой приводит к большей эффективности поглощения фотонов внутри обедненной зоны. В результате падающие фотоны возбуждают ток во внешнем контуре более эффективно и с меньшим запаздыванием. Носители, образующиеся внутри обедненной зоны, мгновенно сдвигаются в сильном электрическом поле к соответственно р - и п - областям диода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5