Плоская зона
Cтраница 4
Позже Эш ( 1957) исследовал собственные значения уравнения Орра-Зоммерфельда (2.68) с функцией U ( z), изображенной на рис. 2.20 в и впервые нашел, что в этом случае течение при всех Re является неустойчивым. Еще позже Тацуми и Гото ( 1960) показали, что этот результат Эша верен для широкого класса профилей, соответствующих плоской зоне смешения двух течений. [46]
 |
Связь между сопротивлением кремния п - и р-ти-па и концентрацией примеси. [47] |
Например, из рис. 3 находим, что для пленки SiO толщиной 2000 Д на кремнии с концентрацией носителей 5 - 1016 см-3 величина С / Со, отвечающая условию плоских зон, равна 0.9. Построив экспериментальную С-V-кривую, проводят через точку С / Со 0 9 прямую, параллельную оси абсцисс. [48]
 |
Связь между Сопротивлением кремния п - и р-ти - - па и концентрацией примеси. [49] |
Например, из рис. 3 находим, что для пленки SiOa толщиной 2000 Д на кремнии с концентрацией носителей 5 - 1016 см 3 величина С / Со, отвечающая условию плоских зон, равна 0.9. Построив экспериментальную С-V-кривую-проводят через точку С / Со 0 9 прямую, параллельную оси абсцисс. Смещение экспериментальной С-V-кривой относительно оси ординат вдоль этой прямой и определяет величину ЬУрв. [50]
Форма зоны при ЗПГТ может быть разнообразной. Для физико-химических исследований используют зоны простейших геометрических форм: плоские, линейные, точечные. Плоские зоны представляют собой плоский слой расплава, толщина которого гораздо меньше его размеров в двух других измерениях. Градиент температуры G в такой зоне и направление движения зоны перпендикулярны ее плоскости. Линейные зоны обычно имеют форму цилиндра или узкой полоски с осью, перпендикулярной направлению движения. Толщина зоны / обычно весьма мала по сравнению с ее длиной. Точечные зоны имеют малый размер в трех измерениях. Толщиной точечной зоны, как и в случае плоских и линейных зон, принято считать ее линейный размер в направлении движения. [51]
 |
Разности работ выхода ( 0м - s. Единица измерения. В. [52] |
Здесь величина обратного смещения Ув отрицательна. Поскольку пороговое напряжение Ут определяет режим работы МОП-транзистора ( режим обогащения или обеднения), определим, какие параметры влияют на величину Ут. Напряжение плоских зон Vfb, согласно формуле (3.77), зависит от разности ( 0м - 0s) работ выхода металла и полупроводника, 0м - величина постоянная для данного металла, a 0s определяется концентрацией примеси в полупроводнике. У транзисторов с п-каналом: поликремний затвора легируется донорами в высокой концентрации и имеет проводимость п - типа, а у транзисторов с р-ка-налом формируется р - затвор из поликремния, легированного-акцепторами. [53]
Поэтому поток горючего к фронту пламени Qf легко оценивается из решения задачи в предположении о бесконечной скорости реакции, т.е. Qf ( I - zs) - l pD bz / bn, где п - нормаль к зоне реакции. Этот поток играет решающую роль в теории, так как в работе Зельдовича [1949] установлено, что устойчивое горение возможно лишь, если QfQf, где Qfc по порядку совпадает с потоком горючего в нормальном фронте пламени. Напомним, что таким фронтом называется плоская зона реакции, распространяющаяся по неподвижной смеси горючего и окислителя. От диффузионного этот фронт отличается тем, что оба горючих компонента находятся по одну сторону зоны реакции. [54]
 |
Влияние поверхностного заряда на напряжение плоских зон ( Vtb. Поверхностный заряд. а - отсутствует, КРВ-09 В. б - положительный, Vfb-09 В. в - отрицательный, VFB-09 В. [55] |
В, падение напряжения в кремнии станет равным нулю, что соответствует рис. 3.23, а. Это и есть так называемое условие плоских зон, а соответствующее ему напряжение ( в данном случае - 0 9 В) называется напряжением плоских зон VFb. Причем ясно, что величина Ffb отрицательна. [56]
В простейшем варианте температурный метод Грея - Брауна заключается в следующем. Рассмотрим для определенности наиболее употребляемый. Поскольку при понижении температуры уровень Ферми смещается ближе к краю С-зоны, то для создания условия плоских зон необходимо приложить к электроду большее положительное напряжение. Это значит, что вся С ( V) - кривая сместилась в область положительных V. Для идеальной беззарядовой) системы МДП напряжение плоских зон, очевидно, равно нулю и не изменяется с температурой, поскольку в этом случае потенциал во всей системе одинаков. При смещении уровня Ферми к С-зоне некоторые из поверхностных состояний дополнительно заряжаются электронным зарядом, а для его компенсации необходимо, как уже отмечалось, увеличить положительное смещение. [57]
В основе теоретического описания структуры металл - диэлектрик - полупроводник лежит классическое решение одномерного ( в направлении, перпендикулярном поверхности или границе раздела) уравнения Пуассона. На рис. 2 показаны диаграммы энергетических зон в приповерхностной области полупроводника р-типа. Диаграмма на рис. 2, а соответствует нулевому поверхностному электрическому полю, или так называемому условию плоских зон на поверхности. Если на затвор подано отрицательное напряжение ( рис. 2, б), то вблизи поверхности полупроводника формируется область положительного пространственного заряда, которая в отсутствие доиорных поверхностных состояний на границе раздела может возникнуть лишь в результате индукции положительных носителей заряда - дырок, т.е. образуется слой, обогащенный основными носителями заряда, или обогащенный слой. Бели на затвор подано положительное напряжение, то зоны вблизи поверхности изгибаются вниз ( рис. 2, в), индуцированный отрицательный заряд образуется в первую очередь за счет ухода дырок валентной зоны из приповерхностной области ( или с нейтральных акцепторов вблизи границы оазделя. При дальнейшем увеличении положительного напряжения на затворе число отрицательно заряженных неподвижных иоиов акцепторов и соответствующий изгиб зон возрастают, край зоны проводимости у границы раздела достигает уровня Ферми и в приповерхностной области полупроводника появляются электроны - неосновные носители заряда. Образовавшийся слой электронов называют инверсионным, а область фиксированного отрицательного заряда, отделяющего этот слой от объема полупроводника р-типа - обедненным слоем. На поверхности полупроводника - типа может образоваться дырочный инверсионный слой, отделенный от объема областью положительного фиксированного заряда. [58]
Заметим, что при расчете спектра по С ( V) и G ( V) должны быть приняты во внимание два фактора, особенно существенные в данном методе. Прежде всего речь идет о нарушении режима высокочастот-ности при измерении С ( У) - характеристик. Согласно анализу, проведенному Боудри [238], а также качественным соображениям Гоетц-бергера [515, 357], уже при плоских зонах частота 1 Мгц может оказаться недостаточно высокой для исключения влияния захвата на быстрые поверхностные центры. Тем более это касается режима обогащения. Это обстоятельство приводит к образованию в рассчитанном спектре поверхностных локальных центров ложных экстремумов вблизи краев зон. Учет фактора захвата ( на основании данных типичных сечений захвата и плотностях ловушек) приводит к устранению экстремумов, делает спектр достаточно плавным, что согласуется и с температурными методами исследования спектра ловушек по измерениям концентрации свободных носителей в каналах, с методом ЭП и другими, не столь критичными к высоким частотам. [59]
В, падение напряжения в кремнии станет равным нулю, что соответствует рис. 3.23, а. Это и есть так называемое условие плоских зон, а соответствующее ему напряжение ( в данном случае - 0 9 В) называется напряжением плоских зон VFb. Причем ясно, что величина Ffb отрицательна. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5