Сильное электростатическое взаимодействие

Cтраница 1

Образование электронного двойного слоя и разности поверхностных потенциалов для кристалла, окруженного плоскостями одного кристаллографического вида. [1]

Сильное электростатическое взаимодействие между двумя близко расположенными электронами ( - 5 эв при расстоянии 3 А) показывает, что фактически это не так. [2]

Решетка хлористого натрия ( а и решетка алмаза ( б. [3]

Вследствие сильного электростатического взаимодействия между ионами связь в ионных кристаллах очень прочная, и, как правило, такие вещества характеризуются высокой прочностью, твердостью и высокими температурами плавления. Из-за направленной природы сил связи в твердом теле они хрупки и, кроме того, обладают низкой электропроводностью; причину этого мы рассмотрим в гл. [4]

За счет более сильного электростатического взаимодействия водородная связь между ионом гидроксония и ближайшей к нему молекулой воды является более прочной, чем остальные водородные связи в воде. [5]

Свойства минералов. [6]

В целом вследствие сильного электростатического взаимодействия между ионами связи в ионных кристаллах характеризуются высокой прочностью, а кристаллы - высокой твердостью и температурой плавления. Для примера в табл. 1.2 приведены данные по СаО и MgO, характер химических связей которых в первом приближении можно считать ионным. [7]

Для комплексных частиц с сильным электростатическим взаимодействием координационное число увеличивается с повышением заряда иона-комплексообразователя и понижением заряда лиган-да. Это связано с тем, что в первом случае увеличивается способ -, ность центрального иона удерживать около себя большее число лигандов, во втором - уменьшается отталкивание лигандов. [8]

Электронейтральная ковалентная связь не вызывает сильных электростатических взаимодействий, которые поэтому между отдельными молекулами незначительны. Органические соединения, характеризующиеся, вообще говоря, преобладанием атомных связей, при кристаллизации образуют решетки молекулярного типа, энергия которых значительно меньше энергии ионных решеток. Поэтому температуры плавления, кипения м сублимации у типичных органических соединений значительно ниже, чем у типичных неорганических. Для типичных неорганических соединений, кристаллизующихся в решетках ионного типа, справедливо обратное. [9]

Набуханию и растворению этих веществ противодействует сильное электростатическое взаимодействие молекул. Так, двух - или поливалентные катионы ( Са, Mg) ограничивают набухание силикатов, а одновалентные ионы лития и натрия не препятствуют даже растворению слоистых и цепных силикатов. [10]

В действительности между молекулами в конденсированных системах существует сильное электростатическое взаимодействие, которое удается строго учесть лишь в очень ограниченном числе случаев. [11]

В этих соединениях связь может осуществляться в результате сильного электростатического взаимодействия центрального, обычно многозарядного, иона с полярными молекулами. [12]

Связь координирующих атомов с Си2 является донорно-акцепторной с очень сильным электростатическим взаимодействием источников заряда. [13]

Связь между слоями в структуре хлорита помимо молекулярных сил осуществляется достаточно сильным электростатическим взаимодействием отрицательно заряженных слюдоподобных слоев с расположенными между ними положительно заряженными бруситовыми слоями. Кроме того, между атомами кислорода тетраэдрической сетки слюдоподобного слоя и водородом гидроксильной группы ОН бруситового слоя могут возникнуть водородные связи. Все это придает структуре жесткость и обусловливает постоянство основного межплоскостного расстояния - 1 43 нм. Этим объясняется тот факт, что основными активными поверхностями хлорита являются разорванные связи боковых сколов кристаллов и их внешние базальные поверхности. Поэтому по энергетическому состоянию и активности в физико-химических процессах хлорит стоит близко к гидрослюде. [14]

Большая плотность адсорбционных слоев на поверхности ( 111) Ga и сильное электростатическое взаимодействие между адсорбированными молекулами [1, 2] приводят к изменению энергий разрыва химических связей внутри молекул. Ga - С1 равна 247 кДж / моль против 479 кДж / моль в газовой фазе. [15]

Страницы: 1 2 3 4