Двумерная электронная система

Cтраница 1

Двумерные электронные системы, свойства которых рассматриваются в данном обзоре, составляют лишь часть большого класса динамически двумерных систем, широко исследуемых в последнее время. Динамически двумерной мы называем систему, компоненты которой свободно перемещаются в двух пространственных измерениях, в третьем же измерении их движение ограничено. [1]

Рассмотрим магнетотранспорт в двумерной электронной системе. [2]

Поверхность Ферми в двумерной электронной системе представляет собой кривую, которую также называют линией или контуром Ферми. [3]

Холла не является привилегией лишь двумерных электронных систем, а существует и в двумерных дырочных системах. Отсюда следует, что это квантовое явление универсально и не лимитируется спецификой зоннной структуры исходного материала. [4]

Квантованная хопповская проводимость наблюдается в двумерных электронных системах при низких температурах и сильных магнитных полях. [5]

Электрон-электронное взаимодействие может влиять на различные свойства двумерной электронной системы, для описания которой используется представление об элементарных возбуждениях - квазичастицах. Сначала большое внимание исследователей привлекли характеристики квазичастиц, которые непосредственно проявляются в эксперименте: эффективная масса и g - фактор. В 1968 г. Фэнг и Стайлз [523] впервые измерили g - фактор в инверсионном слое на поверхности ( 100) Si и обнаружили, что его величина заметно превышает объемное значение, близкое к двум. В 1972 г. Смит и Стайлз [1657] измерили эффективную массу в той же системе и показали, что она превышает эффективную массу электрона в зоне проводимости и уменьшается с ростом концентрации электронов. Различные вопросы, касающиеся этих экспериментов, более подробно обсуждаются в § 2 гл. [6]

Квантовый эффект Холла представляет собой уникальное свойство вырожденной двумерной электронной системы, находящейся в сильном магнитном поле В, перпендикулярном плоскости системы. [7]

Основной подход к обсуждению явлений переноса в двумерной электронной системе, рассмотрению которых на примере инверсионных и обогащенных слоев в кремнии посвящена гл. [8]

Далее в этой главе рассматриваются некоторые формальные свойства двумерных электронных систем. [9]

Схема кремниевого полевого транзистора типа металл-оксид-полупроводник а электроны прижимаются к слою оксида электрическим полем затвора. б электроны прижимаются к слою AlGaAs электрическим полем заряженных донорных примесей кремния (, которые находятся в AlGaAs. в электроны на поверхности раздела связаны в треугольной потенциальной яме. [10]

Выше дана схема кремниевого полевого транзистора типа металл-оксид-полупроводник, Двумерная электронная система располагается у поверхности раздела между кремнием и двуокисью кремния. [11]

В настоящее время уже имеются подходящие методы экспериментального исследования двумерных электронных систем. В частности, концентрация электронов, захваченных на поверхности жидкого гелия, может оказаться столь малой, что к их газу будет применима классическая статическая механика. [12]

Исследованы некоторые томные свойства холловской проводимости в сильных магнитных полях двумерной электронной системы, содержащей неподвижные носители. [13]

За исключением этого обстоятельства, все последующие выводы справедливы для любых двумерных электронных систем, а не только для инверсионного слоя на поверхности ( 100) кремниевой МОП-структуры. [14]

Свойства двумерных электронных систем, которым соответствуют значения параметра Г 100, подробно обсуждаются в § 3 гл. [15]

Страницы: 1 2