Двумерная электронная система
Cтраница 2
Иными словами, диагональная компонента сопротивления ржж УХХ / ( ОХХ а. О, т.е. двумерная электронная система находится в состоянии с нулевым сопротивлением. Однако в изолированной двумерной электронной системе, не имеющей локализованных состояний, такое состояние не может быть реализовано, поскольку при этом Е всегда будет находиться внутри уровня Ландау и в системе всегда будет иметься частично заполненный уровень, за исключением отдельных особых значений N или В. [16]
Если использовать вариационное выражение (3.25), то интегрирование по qz легко выполняется. В отличие от двумерной электронной системы фононная система является существенно трехмерной. [17]
Подчеркнем, что рассматривается строго двумерная система электронов в вакууме без учета влияния среды через статическую диэлектрическую проницаемость и эффективную массу. Оказалось, что приближения хаотических фаз и Хаббарда описывают строго двумерные электронные системы не так хорошо, как трехмерные. Джонсон предположил, что в строго двумерных системах более важную роль играют мелкомасштабные корреляции, которые в этих приближениях должным образом не учитываются. Это предположение подтверждает тот факт, что приближения хаотических фаз и Хаббарда гораздо лучше описывают квазидвумерные системы, т.е. системы, толщина которых отлична от нуля, поскольку мелкомасштабные корреляции в этом случае ослаблены. В приближении хаотических фаз были вычислены диамагнитная и парамагнитная восприимчивости в слабых и промежуточных магнитных полях. [18]
Иными словами, диагональная компонента сопротивления ржж УХХ / ( ОХХ а. О, т.е. двумерная электронная система находится в состоянии с нулевым сопротивлением. Однако в изолированной двумерной электронной системе, не имеющей локализованных состояний, такое состояние не может быть реализовано, поскольку при этом Е всегда будет находиться внутри уровня Ландау и в системе всегда будет иметься частично заполненный уровень, за исключением отдельных особых значений N или В. [19]
 |
Схема эксперимента с электронами, локализованными над поверхностью жидкого гелия. [20] |
Изменяя величину напряженности прижимающего электрического поля Е можно легко менять ns в широком интервале значений, от 105 до 109 см-2. При этом электронная подсистема при гелиевых температурах остается невырожденной, так как даже при ns 109 см-2 энергия Ферми мала, е / k тгЙ2гг8 / km 10 - 2 К. Изменяя Е и Т, можно в широких пределах, практически от 0 до 102 и более, менять параметр неидеальности двумерной электронной системы, 7 7T1 / 2e2ns / kT, перекрывая области идеального газа, электронной жидкости и вигнеровского кристалла. [21]
Инверсионные и обогащенные слои, образующиеся вблизи границы раздела Si - SiO2, по упомянутым выше причинам являются наиболее широко исследуемыми системами. Большинство работ посвящено изучению свойств двумерных каналов я -, а не р-типа, так как, во-первых, электроны обладают более высокой подвижностью, а во-вторых, в кремнии структура зоны проводимости не так сложна, как структура валентной зоны, что позволяет сравнительно легко описывать свойства электронов теоретически. Именно поэтому первые семь глав посвящены более подробному обсуждению свойств именно электронных слоев пространственного заряда, главным образом инверсионных слоев на поверхности ( 100) Si. Кратко обсуждаются свойства некоторых других родственных систем, которым посвящено большое число исследований, иногда предшествовавших исследованиям поверхностных каналов в Si. К ним относятся тонкие пленки, магнитные поверхностные состояния в металлах, слоистые соединения и интернированный графит. Эта система обладает некоторыми общими свойствами с другими рассматриваемыми 1 двумерными электронными системами, но ей присущи и свои характерные особенности. [22]
Страницы: 1 2