Магнитостатическое взаимодействие

Cтраница 1

Генерация доменов с S 0 и S I.| Устройство для генерации ЦМД с 5 - 1 и считывания информации. [1]

Магнитостатическое взаимодействие доменов поддерживает жесткую конфигурацию решетки, поэтому продвижение доменов происходит одновременно во всей решетке. [2]

Цилиндрический магнитный [ IMAGE ] К определению условий домен с радиусом г0 в пластине толщи - существования стабильного ци. [3]

Энергия магнитостатического взаимодействия WK и соответствующее магнитное поле Нх зависят от r / h и выражаются через эллиптические интегралы. [4]

В общем виде проблема магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей аппликацией представляет собой вариационную задачу по отысканию устойчивого состояния ЦМД и определению обобщенной силы, действующей на ЦМД как функции формы, геометрических размеров аппликации, зазора между ЦМД и аппликацией и магнитных свойств аппликации. [5]

Кривая 1 соответствует энергии магнитостатического взаимодействия между ЦМД и пер маллоевым элементом в случае, когда управляющее внешнее поле равно нулю. Два устойчивых состояния ЦМД около концов полоски соответствуют положению, в котором ЦМД наиболее эффективно намагничивает полоску. Кривая 2 соответствует зеемановской энергии, когда управляющее внешнее поле Я0 1600 А / м, а ЦМД находится сравнительно далеко от плоскости и не влияет на рас - пределение ее намагниченности. Асимметричная кривая 3 соответствует суммарной энергии с учетом влияния поля ЦМД на намагниченность полоски. Наклон этой кривой дает величину приращения эквивалентного поля в пределах длины доменного диаметра ДЯг. На рис. 13, а - г представлены графики зависимости ДЯ2 от толщины и ширины полоски, от радиуса ЦМД и от зазора между пермаллоевой аппликацией и кристаллом. Из них следует, что для ненаоыщенной аппликации толщина полоски мало влияет на ДЯ2, в то время как с увеличением ширины полоски увеличивается общее число магнитных зарядов и, следовательно, растет ДЯ2 до тех пор, пока домен не растягивается в полоску. Увеличение ДЯ2 с ростом радиуса домена объясняется тем фактом, что с увеличением размера ЦМД возрастает его влияние на намагниченность полоски. Было получено также сравнительно медленное изменение ДЯ2 с ростом зазора между аппликацией и кристаллом. [6]

Анализируются теоретические работы по исследованию магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей пермаллоевой аппликацией. Рассмотрен ряд физических моделей, описывающих распределение намагниченности в управляющих элементах под влиянием внешнего магнитного поля. Исследуется зависимость энергии взаимодействия от геометрических параметров системы ЦМД - управляющая структура. [7]

В статье представлен анализ теоретических работ, посвященных исследованию магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей аппликацией, на основе которого сформулированы некоторые рекомендации по решению предложенных выше задач. [8]

Помимо магнитного взаимодействия Fso имеется спин-спиновое взаимодействие, являющееся прямым магнитостатическим взаимодействием магнитных электронов. По порядку величины энергия этого взаимодействия составляет единицы см 1 и в нашем случае им можно пренебречь, так же как и другими более слабыми взаимодействиями, обусловленными наличием спина ядра и его квадрупольного момента. [9]

Результаты расчета [12] помогают выявить характер влияния геометрических параметров системы ЦМД-аппликация на энергию магнитостатического взаимодействия, что весьма важно для конструирования оптимальных по своим функциональным свойствам ЦМД-устройств. Однако использование численных методов не дает возможность получить в явной форме выражение для магнитостатической энергии и найти силу, действующую на ЦМД, и скорость его перемещения. [10]

Теоретические кривые зависимости Нь, dk, Ятш ров материала и толщины пластинки. [11]

Перспективы применения ЦМД основаны на возможности создания быстродействующих элементов, в которых с использованием генераторов ЦМД и доменопродвигающих устройств осуществляется создание, передвижение и хранение системы закодированных ЦМД. Магнитостатическое взаимодействие между различными ЦМД позволяет создавать логические элементы самых разнообразных типов, Магнитостатическое взаимодействие также используется и в доменопродвигающих схемах. На рис. 3 21 изображена типичная схема Г - типа с управляющей пермаллоевой аппликацией, принцип действия которой понятен без пояснений. При повороте управляющего магнитного поля в плоскости пластинки и аппликации на 2ц по часовой стрелке все существующие ЦМД сдвигаются на один период аппликации вправо, при повороте поля на 2л против часовой стрелки - на один период влево. [12]

Теоретические кривые зависимости Hk, А, Ятт q dmai от парам т-ров материала и толщины пластинки. [13]

Перспективы применения ЦМД основаны на возможности создания быстродействующих элементов, в которых с использованием генераторов ЦМД и доменопродвигающих устройств осуществляется создание, передвижение и хранение системы закодированных ЦМД. Магнитостатическое взаимодействие между различными ЦМД позволяет создавать логические элементы самых разнообразных типов. Магнитостатическое взаимодействие также используется и в доменопродвигающих схемах. На рис. 3.21 изображена типичная схема Г - типа с управляющей пермаллоевой аппликацией, принцип действия которой понятен без пояснений. ЦМД сдвигаются на один период аппликации вправо, при повороте поля на 2л против часовой стрелки - на один период влево. [14]

Принципиальным фактором, ограничивающим повышение информационной емкости, является магнитостатическое взаимодействие между ЦМД. Например, при d - 1 мкм на кристалле площадью 50 мм2 можно получить СБИС с информационной емкостью не более 4 Мбит, что достижимо и в транзисторных СБИС памяти динамического типа с произвольной выборкой. [15]

Страницы: 1 2